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电子束环氧基负胶的曝光反应机理分析 analysis on exposure reaction mechanism of electron beam negative resist with epoxy groups.pdfVIP

电子束环氧基负胶的曝光反应机理分析 analysis on exposure reaction mechanism of electron beam negative resist with epoxy groups.pdf

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电子束环氧基负胶的曝光反应机理分析 analysis on exposure reaction mechanism of electron beam negative resist with epoxy groups

第5期 微细加工技术 No.5 2007年lO月 MICROFABRICATl0NTECHNOLOGY Oct.。2007 文章编号:1003.8213(2007)05.0001.04 电子束环氧基负胶的曝光反应机理分析 卢文娟1,张玉林1,孔祥东2 (1.山东大学控制学院电子束研究所,济南250061;2.东营职业学院,山东东营257091) 摘要:从高分子辐射化学的角度对电子束环氧基负胶曝光的实际反应机理进行了深入的分析研究, 量关系。通过SDS.Ⅱ型曝光机对环氧Epoxy618进行曝光实验,验证了上述结论的准确性,该论证 结果用于指导电子束曝光参数的选取。 关键词:电子束负胶;环氧基团;辐射交联;溶胶分数;Charlesby-Pinner关系式 中图分类号:TN305.7 文献标识码:A 式,推导出曝光剂量对胶聚合物分子键交联程度的 1引言 进行曝光实验,得出的结果与推导关系基本一致,从 电子束光刻胶(又称抗蚀剂)是一种对束能照射 而证明该推导结论可指导实际曝光中的参数选取。 敏感的线性链高分子有机聚合物,是电子束曝光最 直接的作用对象,分为正胶和负胶两大类…1。经电 2环氧基电子束负胶曝光反应机理 子束照射后,正胶主要发生主链断裂而降解,使被曝 光区域的溶解度增大;负胶主要发生交联使被曝光 电子束进入胶内部后,具有很高能量的电子束 区域的溶解度减小。 便会损失一部分能量而成为低能电子束,随之释放 光刻胶通常有三种成分:树脂材料、感光化合物 出x射线、热能和二次电子。由于二次电子的作用 材料和溶剂【2J。受电子束辐照后,负胶中的感光交 而使抗蚀剂产生交联、断裂或降解等。从而使抗蚀剂 联剂吸收能量使胶膜发生光交联反应,或胶中的增 在电子束辐射后引起溶解度和其他性能的差别。 感剂吸收能量,再将能量传递给高分子,使其发生交 电子束胶在高能电子束照射下,聚合物分子结 联反应,变成不溶性物质,最后得到与掩模版图形相 合键的断裂或交联反应是同时发生的,但对于不同 反的蚀刻图形。分子链上附有环氧活性基团的高分 的胶而言,在适当能量的电子束流照射下,其中一种 子树脂,它很容易通过环氧环阳离子开环聚合反应 反应起主导作用。电子束对负胶曝光时,聚合物分 产生交联,从而形成负性光刻胶,这类负胶又称为环 子结合键主要发生辐射交联反应。 氧基负胶。环氧基负胶的分子结构中含有环氧基 2.1辐射交联机理 团,受电子束辐照后,环氧基开环率很高,灵敏度也 所谓辐射交联,是指在辐射作用下,聚合物分子 较高,例如COP负胶(甲基丙烯酸缩水甘油酯一丙烯之间通过键桥(包括氢键和离子键)联在一起的现. 酸乙酯的共聚物),它的灵敏度可达4×10-7C/cm2【3]3。象。聚合物的分子量将随辐射剂量的增加而增加, 本文将从辐射化学的角度来分析电子束对环氧基负 直到每一个聚合物链平均有一个键联到另一个分子 胶曝光的实际反应机理,根据Chad曲v.Pinner关系链时,即开始形成三维网络结构(立体结构)时,该聚 收稿日期:2007—05.20;修订日期:2007.06-11 基金项目:山东省自然科学基金资助项目(Y2003G03) 作者简介:卢文娟(1981一),女,博士,主要从事电子束曝光技术、三维微加工技术、MEMS加工技术的研究。 万方数据 2 微细加工技术 2007年 合物在正常熔点下也不再熔融,除非温度升高到比 量(10

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