电子束抗蚀剂图形结构的倒塌与粘连 collapse and adhesion of the electron resist pattern structure.pdfVIP

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2017-08-25 发布于上海
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电子束抗蚀剂图形结构的倒塌与粘连 collapse and adhesion of the electron resist pattern structure.pdf

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电子束抗蚀剂图形结构的倒塌与粘连 collapse and adhesion of the electron resist pattern structure

加工、澳!i星与设备 and Processing，MeasurementEquipment 电子束抗蚀剂图形结构的倒塌与粘连赵珉1，陈宝钦2 牛洁斌2，谢常青2，刘明2 (1．湛江师范学院信息科技与技术学院，广东湛江524048； 2．中国科学院微电子研究所纳米加工与新器件集成技术实验室，北京 100029) 摘要：首先从实验现象出发，阐述了纳米级高密度、高深宽比电子抗蚀剂图形结构发生倒塌与粘连的主要几何因素及其关系。除了结构的几何因素外，结合“BeamSway”模型分析了抗蚀荆微细结构在制作过程中的受力情况。在上述工作的基础上，提出了克服纳米级高密度、高深宽比电子抗蚀剂图形结构倒塌与粘连的相应措施。其中，通过实验验证了超临界COz干燥技术对于电 nm及150 子束抗蚀剂ZEP520A用于制作周期200nm、深宽比超过4的光栅图形结构具有良好的效果。关键词：电子束光刻；抗蚀剂；高深宽比；倒塌；超临界二氧化碳干燥 Structure andAdhesionoftheElectronResistPattern Collapse Zhao Minl，Chen Jiebin2，XieChangqin92，LiuMin92 Baoqin2。Niu and Normal 524048，ChinaI (1．SchoolInformation University，Zhanjiang of Technology．Zhanjiang Nano-FabricationandNovelDevices 2．KeyLaboratoryof IntegratedTechnology·Instituteof Microelectronics．Chinese 100029·China) Sciences。Beijing Academyof theirrelations onthe factorsand Abstract：Basedexperimentalphenomenon，maingeometry were causethe andadhesionof and highaspect—ratio firstlyanalyzed，whichcollapse highdensity electronresist the factors，thestressoftheresist nano—patterns．Besidesgeometry nano—pattern