高pr低pr栅ffet漏极电流与铁电材料特性的关系 relationship between the drain current of ffet with high prlow pr gate structure and ferroelectric material properties.pdfVIP

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2017-08-25 发布于上海
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高pr低pr栅ffet漏极电流与铁电材料特性的关系 relationship between the drain current of ffet with high prlow pr gate structure and ferroelectric material properties.pdf

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高pr低pr栅ffet漏极电流与铁电材料特性的关系 relationship between the drain current of ffet with high prlow pr gate structure and ferroelectric material properties

■㈣i与c 高Pr／低Pr栅FFET漏极电流与铁电材料特性的关系顾江，，施敏h，王强加，蔡小鹏26 (1．常熟理工学院物理电子系，江苏常熟 200041；2．南通大学 a．电子信息学院；b．计算机科学与技术学院，江苏南通226019) 摘要：分析了对铁电场效应晶体管漏极电流特性有影响的铁电材料参数，设计了具有单层和双层栅介质结构的铁电场效应晶体管，并进行了仿真研究。仿真结果表明：具有高P，／低P，栅介质结构的铁电场效应晶体管在饱和极化后，其极化前后输出漏极电流差最大，有利于存储信号的分辨，提高电路的效率。通过改变该结构中低P，层的P，，E。等铁电材料参数，发现在3～4V间饱和极化，该结构的铁电场效应晶体管的漏极电流输出特性比较稳定，减小了对材料、工艺、 P。／P，及E。的依赖性和敏感性，具有易于制造和便于电路设计的优点。关键词：铁电场效应晶体管(FFET)；双层栅；铁电材料；漏极电流；极化；仿真 BetweentheDrainCurrentofFFETwith Relationship High StructureandFerroelectricMaterial P，／LowP，Gate Properties Gu Jiang’，ShiMin23，WangQiangz8，CaiXiaopen926 and Institute ofPhysicsElectronic，Changshu 200041，China； (1．Department ofTechnology，Changshu 2．a．SchoolElectronicand Scienceand of Information；b．SchoolofComputer Technology，Nantong 226019，C^ina) University，Nantong ferroelectricmaterial thedraincurrentoftheferroelectric Abstract：The parametersaffecting field effecttransistor(FFET)wereFFETswith and analyzed．The singledouble—layergate structureswere simulated．The drain and simulationresultsshowthatthe current designed differencebeforeandafter ismaximumaftertheFFETwith polarization P。／low high P，gate structuresissaturated can to the and polarization，whichhelpdistinguishs