高压ldmosⅰ-ⅴ特性宏模型的建立 creation of the ⅰ-ⅴ characteristic macromodel for high voltage ldmos.pdfVIP

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2017-08-25 发布于上海
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高压ldmosⅰ-ⅴ特性宏模型的建立 creation of the ⅰ-ⅴ characteristic macromodel for high voltage ldmos.pdf

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高压ldmosⅰ-ⅴ特性宏模型的建立 creation of the ⅰ-ⅴ characteristic macromodel for high voltage ldmos

2007年第24卷第8期微电子学与计算机高压LDMoSI—V特性宏模型的建立吴秀龙，陈军宁，柯导明，汪洋 (安徽大学电子科学与技术学院，安徽合肥230039) 摘要：重要。以往的模型都是将LDMOS分为线性区和饱和区两段来分析．公式复杂而且计算量大。因此在数值模拟的基础上提出了全导通区域的伏安特性方程，建立了LDMOSI—V特性的宏模型。该模型的特点是参数少，易于提取，得到的SPICE等效电路简单．仿真容易收敛。关键词：横向双扩散MOS管；宏模型；等效电路中图分类号：TN386．1 文献标识码：A 文章编号：1000—7180(2007)08—0011—03 CreationoftheI—VCharacteristicMacr哪odel for LDMoS HighVoltage WU Xiu-long，CHENJun—ning，KEDao—ming，WANGYang 0f and ElectricScience 230039，China) (School Technology，AnhuiUniversity，Hefei Ab吼r锄ct：Latemldouble—dimlsed usedin circuitsandmicmwaveinte- MOsFET(LDMOs)iswidely powerintegmted of modelsdiVidedtlle circuits．So a：lentcircuitLI)MOSis more eqlliv becomingimportant．既epreVious grated crea血g are ofLDMOSinto伽o ands咖ration f0珊ul鹊锄d circuits 蚰一state陀gion paIts，l：ine盯region re百on．The equivalent isavailableilltllewhole∞一stateImme五calsimu- anI—V mat verycomphcated．11li8p印erpIe8ents equation mgionby c他atestlleI—VcharacteristicMacmmodel．田lemodelcohtainsfewer we lation，arld easierwhen tllis circuittosi训ate in— obtaina becoH陀s 8implerequiv8lentcircuit．Convergence usingequivalent power circllits． tegmted words： circuit Key LDMOS；macmmodel；equivalem 1 引言中给出了大信号下LDMOS的模型，文献f51中对 Double—diffused