硅基铂钛夹层aao多孔模版制备半导体量子线 preparation of semiconductor quantum wire on platinum titanium silicon-based porous aao template.pdfVIP

第5期 微细加工技术 No．5 2007年lO月 MICROFABRICATl0NTECHNOLOGY Oct．，2007 文章编号：1003-8213(2007)05．0048．04 硅基铂钛夹层AAO多孔模版制备半导体量子线 郭志超，王光灿，王清理，张晋 (云南大学物理科学技术学院，昆明650091) 摘要：制备一种新型硅基铂钛夹层AAO模版。并用这种模版制备量子线阵列。在硅基上依次用电 子束蒸镀铂膜、钛膜和铝层，把在草酸溶液中阳极氧化制备AAO模版的方法，移植到制备这种模 版中。再用这种模版直流电沉积制备了ZnSe半导体量子线阵列。SPM表征出相当好的结果，模 版孔径和量子线大小一致，且分布均匀。这种模版底层的铂膜提供了量子线的一个电极，基底硅 为纳米器件集成提供了平台。 关键词：电子柬蒸镀；阳极氧化；模版；量子线 中图分类号：TN305 文献标识码：A 分子聚合物膜孔径大小分布较广，但不均匀。近年 1引言 来，有序孔氧化铝模版的制备工艺、生长机理研究及 用做模版合成有序纳米阵列结构，已成为纳米材料 纳米阵列模版法组装是指在具有一定空间结构 研究的热点【3-4J。 的纳米多孔模版中，采用各种物理和化学方法，将金 本文介绍一种制备硅基铂钛夹层氧化铝模版的 属、半导体或其它物质装入纳米模版中，由此可获得 方法，在此将已经成熟的实验：在草酸溶液中高纯铝 各种纳米颗粒和纳米线。纳米模版的作用在于提供 经过阳极氧化制备AAO模版，移植到制备这种模版 一个合成纳米材料的限域空间，因此，模版的获得是 中，即把处理好的模片不用经过电化学抛光，直接氧 合成纳米结构阵列的必要前提和先决条件[1‘2|。 化。用这种模版制作纳米材料阵列，模版底部的铂 模版组装通过调节有序孔的孔径、孔隙率及孔 可作为纳米阵列的一个电极，基底硅可为实现电路 间距，可实现对纳米结构单元及其阵列体系性能的 集成提供平台。 调制。用模版合成纳米结构体系的优点在于可以提 供更多的自由度，从而控制体系的性能，以便根据需 2实验方法 要来设计及组装各种材料的纳米结构有序阵列，得 到常规体系所不具备的新的特性。为设计下一代纳 2．1模版的预处理【4】 米结构的元器件奠定了基础。用来合成准一维纳米 mm×20 模版的表面尺寸为20 mm。用P型 线阵列的模版主要有两种：多孔氧化铝膜和有机高 100硅片作为基片，经过标准清洗，再用I％的氢 分子聚合物模版。经退火处理的高纯铝片，在草酸、 氟酸除去硅片表面的氧化物。在硅片背面溅射蒸镀 硫酸或磷酸等溶液中阳极氧化获得的多孔氧化铝模 llm．200 厚度约为150 nm的99．999％的铝膜，在 版，相对于有机高分子聚合物模版来说，具有垂直于