硅晶圆cmp抛光速率影响因素分析 analysis of the effects on silicon wafer cmp velocity.pdfVIP

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2017-08-25 发布于上海
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硅晶圆cmp抛光速率影响因素分析 analysis of the effects on silicon wafer cmp velocity

硅晶圆CMP抛光速率影响因素分析谭刚 (中国工程物理研究院电子工程研究所，四川绵阳621900) 摘要：化学机械抛光(CMP)技术是半导体工艺中不可缺少的重要工艺。针对硅晶圆CMP平坦性问题，系统地考察了压力、转速、抛光垫、浆料、温度等因素对硅晶圆平坦化速率的影响，从中找到它们之间的优化参数，减少CMP工艺中的表面划伤、抛光雾、金属离子沾污，清除残余颗粒，保证硅晶圆的平坦化质量。关键词：单晶硅；化学机械抛光；平坦化 oftheEffectsOilSiliconWaferCMP Analysis Velocity TANGang 621900，China) (InstituteofElectronicEngineering，CAEP，Mianyang Abstract：Themachine inthesemiconductor chemistry important technology． polishing(CMP)is Inthe atthesiliconwaferCMP 0ntheeffectsof flatness，some experiment，aiming investigations the ontheCMPwerecarriedThe pressure，rotation，polishingpad，slurry out optimizationpa- werefound i- rametersofthem Out，thesurface ofmetal scratch，polishingfog，contamination ons，remainwereredueed，theflatnessofthesiliconwaferwas particles guaranteed． mechanical words：silicon；chemical Key polishing；flatness 持器、承载抛光垫的工作台和抛光液输送装置三大引言部分组成，如图1所示。抛光时，旋转的工件以一定化学机械抛光(CMP)技术因其拥有全面平坦的压力压在旋转的抛光垫上，由亚微米或纳米磨粒化的优势，能够兼顾硅晶片全局和局部平坦化，而在和化学溶液组成的抛光液在硅片与抛光垫之间流近年来成为各大IC相关产业竞相研发的技术。动。抛光液在抛光垫的传输和旋转离心力的作用 CMP的平坦性受到诸如CMP系统参数、抛光液氧下，均匀分布其上，在硅片和抛光垫之间形成一层液化剂成分和浓度等因素的影响。对CMP过程中影体薄膜。液体中的化学成分与硅片产生化学反应，响平坦性的因素进行研究，有助于提高工艺的成品