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第二章：MOS器件物理 1．概念： 熟悉增强型NMOS管的工作原理，画出NMOS输出特性曲线并指出线性区和饱和区NMOS漏电流随VGS的变化曲线： 当Vgs小于Vth时，NMOS管Vgs大于Vth时，在NMOS管漏极和源极间形成反型层，即导电沟道。这时在Vds的正向电压的作用下，NMOS管漏极和源极间有电流产生。当VdsVgs-Vth时, NMOS管工作在线性区;当Vds≧Vgs-Vth时, NMOS管工作在饱和区。 画出NMOS截止区，线性区和饱和区的实际物理结构图： 2．直流导通电阻： ⑴ 线性区的直流导通电阻（VgsVth, VdsVgs-Vth）））Vbs不为0而引起阈值电压的变化的效应。 4．沟道调制效应：在MOS管工作于饱和状态时，MOS管的导电沟道会发生夹断，且夹断点的位置随栅漏间的电压差的增加而向源极移动，既有效沟道、长度实际上是Vds的函数。这一效应称为“沟道调制效应”。 ， 5．亚阈值效应：当MOS管的Vgs略小于Vth时，在实际中MOS管已开始导通，仍会在MOS管的导电沟道产生一个弱反型层，从而产生由漏极向源极的电流，该现象称为NMOS管的亚阈值效应，且Id 与Vgs呈指数关系。 体效应：对于NMOS，当VBVS时，随VB下降，在没反型前，耗尽区的电荷Qd增加，造成VTH增加，也称为“背栅效应”。 这种由于VBS