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§3.1 半导体发光二极管 3.1.1 LED的发展 3.1.2LED的应用 3.1.3 LED工作原理 ★深能级复合 这种复合是通过禁带中深能级的复合，其辐射的光子能量远小于禁带宽度。对于宽禁带材料，这种复合是有实际意义的。不过对于直接带隙材料，深能级复合往往是非辐射性的，应避免。 ★激子复合 电子和空穴由于库仑力的作用，可以结合成一个中性的准粒子。它们可以在晶体中作为整体运动，称为激子。激子分为束缚激子和自由激子。激子复合可以放出光子或声子。 3.1.4LED的结构 发光二极管的核心部分是由p型半导体和n型半导体组成的具有p-n结的晶片。在PN结中注入的少数载流子与多数载流子复合时会把多余的能量以光的形式释放出来，从而把电能直接转换为光能。这种利用注入式电致发光原理制作的二极管叫发光二极管，通称LED。LED是英文light emitting diode（发光二极管）的缩写。 半导体LED发出的光可以从紫外到红外，光的强弱与电流有关。 同质pn结 单异质结 双异质结/量子阱 3.1.5LED材料 GaAsP材料 3.1.6LED制备工艺 3.1.7GaN基正装LED工艺 GaN基正装LED版图准备 第一步：GaN晶片清洗(如图2-9)。经过镜检，用丙酮，无水乙醇和浓度比为1:1的HCl溶液对GaN晶片进行清洗，再用N2将晶片吹干。 第二步：PECVD淀积SiO2(如图2-10)。在向GaN上淀积SiO2时，保持衬底的温度在250－300oC，SiO2的淀积厚度为3500 ?，尽可能确保淀积SiO2层的均匀性。 第三步：光刻(如图2-11)。图中最上层即为光刻胶，通过甩胶、前烘、曝光、显影、坚膜将胶刻在GaN晶片上。在室温下，用腐蚀液腐蚀SiO2层。 第四步：ICP刻蚀P-GaN(如图2-12)。刻蚀P-GaN表面形貌和N-GaN表面形貌，刻蚀的厚度约为1000nm。 第五步：光刻P电极图形(如图2-13)。 第六步：沉积电极50 ? / 50 ? 的Ni/Au(如图2-14)。然后剥离光刻胶，去掉多余的Ni/Au 第七步：Ni/Au合金退火。 第八步：光刻N电极(如图2-16)。 第九步：沉积N电极的Ti/Al/Ti/Au(如图2-17)。 然后进行剥离。剥离完用乙醇和去离子水进行清洗(如图2-18)。 第十步：光刻P-N焊点(如图2-19)。甩胶，厚度4μm。涂胶完成后，清洗再用N2吹干。 第十一步：沉积P和N加厚电极(如图2-20)。 在光刻胶和原有金属层上溅射Ti－Au加厚电极，保持衬底温度为70－80oC，溅射Ti层厚度为200 ?，Au层厚度为5000－10000?。然后进行丙酮超声剥离(如图2-21), 剥离完后进行清洗，再用N2吹干。 第十二步：PECVD沉积SiO2钝化膜，并光刻露出电极焊点(如图2-22)。 最后是减薄、划片、翻膜、裂片，扩晶、分拣、压焊、测试。 问题？ 3.1.8GaN倒装器件工艺流程 前九步均于正装的过程完全相同 第十步：光刻反射镜图形(如图2-24)。甩厚胶4 μm，然后曝光显影露出p电极区。 第十一步：沉积Al/Ti/Au反射镜(如图2-25)。沉积Al、Ti、Au层厚度分别为200nm、20nm、200nm；再用丙酮超声进行剥离光刻胶，如图2-26。 第十二步：PECVD沉积SiO2钝化并光刻出电极焊点(如图2-27)。腐蚀SiO2,露出引线孔，腐蚀时间1分钟，腐蚀得到如图2-28所示样品。 第十三步：保留图2-28中的光刻胶，沉积Ti/Au(如图2-29)。溅射Ti/Au作为压焊电极，Ti、Au的厚度分别为300?、5000?,形成如图2-29所示样品。 第十四步：剥离光刻胶。用丙酮进行超声进行剥离光刻胶，然后用乙醇去离子水清洗，得到如图2-30所示样品。 最后是减薄、划片、翻膜、裂片，扩晶、分拣、压焊、测试。 3.1.9 SLED SLED是指超辐射发光二极管，与普通发光二极管结构完全不同。首先它是边发射，其次它需要一个很弱的共振腔。它的光既有普通LED宽谱的特点，又有一定的相干性有点类似于激光。SLED制作难度比普通LED大很多。SLED最大的用途就是光纤陀螺。 3.1.10 OLED 原理 OLED器件的结构如下图所示。OLED属于载流子双注入型发光器件，其发光机理为：在外界电压的驱动下，由电极注入的电子和空穴在有机材料中复合而释放出能量，并将能量传递给有机发光物质的分子，后者受到激发，从基态跃迁到激发态，当受激分子回到基态时辐射跃迁而产生发光现象。 OLED（有机发光二极管）显示具有自发光、响应速度快、高亮度、高对比度、超轻超薄、低功耗、无视角限制、工作温度范围宽、抗震性能好、可实现柔软显示等诸多优势。但由于产品良率和工艺技术的瓶颈尚未完全突破，OLED在