硬盘驱动器巨磁电阻（！#）磁头从微米到纳米！.PDFVIP

物理学和高新技术 硬盘驱动器巨磁电阻（!# ）磁头：从微米到纳米! 蒋! 致! 诚’ （()* 材料科学实验室! 东莞! +#$, ） 摘! 要! ! 近年来电脑硬盘存储密度的飞速增长（年增长 -$$. ）已超出摩尔定律的预言/ 这种惊人的高速增长 中，最关键的因素是自旋阀纳米多层膜结构，即巨磁电阻（012 ）读传感器磁头的应用/ 事实上，巨磁电阻磁头读传 感器（345643 748793 ）已经实现由微电子器件向纳米电子器件转化，并且形成大规模产业/ 这一过程包含了自旋电子 学、材料科学、微电子工程学、化学、微机械力学和工程学等诸学科和相关微加工技术综合性挑战极限，进入纳米科 技领域实质性进步/ 关键词! ! 硬盘，012 ，读传感器，纳米器件 !$%’ (%)*’$+ ,*-$-’%+* .*%/ 01, .%,/ /$-2 /,$3*- ：0,1( ($+,1 ’1 %1 :;)0 =?@A48B’ （!#$%’ ()$*)$ +,-%#-%. ，(/0 !1*$#)2 （34 54 ）+#64 ，7-*118* 9’*# ，7-*118* +#$, ，:;* ） 45-’,%+’6 6 C536 6?7D 63?E4 4567 F5746 98 B?58G H5B84G?D 347?7G58D4 586 GI884J?8B H5B84G?D 347?7G58D4 ?8@ G4B35G4 G4 J5G47G 64E4J9KH48G7 9L 7K?8G398?D7 ，H5G43?5J 7D?48D4 ，H?D394J4DG398?D 48B?8443?8B ，D4H?7G3M ，H?@ D395?3 6M85H?D7 ，H?D39@H4D58?D7 586 48B?8443?8B/ N4 G4D89J9BM 57 F448 D98G?8I9I7JM D5JJ48B?8B G4 G4D@ 8?D5J J?H?G5G?987 9L 644K 7IF@H?D39 64E?D4 H58IL5DGI3?8B ，586 57 5D?4E46 5 F345OG39IB 9E43 G4 -$$8H G3479J6 ?8 5JJ G4 G344 6?H487?987 ，K34748G?8B G4 L?37G 7IDD477LIJ 4P5HKJ4 9L G4 G3587?G?98 L39H H?D39@ G9 8589@64E?D4 ?8 G4 H577 K396IDG?98 9L 536 6?7O 63?E47/ 7*8 91,/-6 6 536 6?7D 63?E4 ，B?58G H5B84G?D 347?7G58D4 ，345643 748793 ，8589@64E?D4 ! ! 近年来信息技术的飞速发展中，电脑硬盘存储 个最好的实例/ 密度的增长极为令人注目：从-$ 年前开始，其单位 电脑硬盘巨磁电阻磁头制造被称为是挑战极限 面密度即以每年U$. 的速度增长，而近四年来年的 的高科技/ 它集自旋电子学（7K?8G398?D7 ）、材料科学、 增长竟达 -$$. ，甚至超出了摩尔定律的预言！这 微电子工程学、化学、微空气动力学、微机械力学和 种惊人的高速增长是电脑硬盘磁头和存储介质制造 工程学等多学科于一身/ 实际上，近年来巨磁电阻磁 技术进步的直接结果/ 其中最关键的是磁头核心元 头“自上而下”地向纳电子器件的转化，就是在上述 件———读写传感器由微电子器件向深亚微米，乃至 各个学科