2013上海海事大学电力电子整理.docVIP

主电路:电气设备或电力系统中，直接承担电能的变换或控制任务的电路 电力电子器件:可直接用于处理电能的主电路中，实现电能的变换或控制的电子器件。 ①目前也往往专指电力半导体器件, ②采用的主要材料是半导体硅。 电力电子器件一般特征：①能处理电功率的大小，即承受电压和电流的能力，是最重要的参数②工作在开关状态③需要驱动电路④需要安装散热器 功率损耗：通态损耗、断态损耗、开关损耗、驱动损耗①通态损耗是功率损耗主要成因②当器件的开关频率较高时，开关损耗是主因。（开关损耗：开通和关断损耗） 电力电子系统：由控制电路、驱动电路和以电力电子器件为核心的主电路组成 电力电子器件的分类：①半控型，?全控型器件，不可控器件②按驱动性质;电流驱动型，电压驱动型③按电子和空穴：单极型，双极型，双极型④按波形：脉冲触发型，电平控制型 不可控器件——电力二极管: ①基本结构：以半导体PN结为基础②基本原理：PN结的单向导电性 PN结的电容效应：PN结的空间电荷区就是一个平板电容器，其电荷量在外加电压变化时发生相同的变化，呈现电容效应，称之为结电容。（结电容影响PN结的工作频率，特别是在高速开关状态时结电容可能与电路的杂散电感引起高频振荡，影响电路的正常工作。使用时应加以注意。） 电导调制效应：当PN结上流过I较小时，二极管电阻主要是低掺杂N区的欧姆电阻，其阻值较高且为常量，因而管压降随I上升而增加；当PN结上流过的I较大时，低掺杂N区的少子空穴浓度将很大，为了维持半导体的电中性条件，其多子浓度也大幅增加，使得电阻率明显下降，也就是电导率大大增加，这就是电导调制效应。（作用：使得电力二极管在正向电流较大时压降仍然很低，维持在1V左右，所以正向偏置的电力二极管表现为低阻态。） 静态特性(伏安特性):当电力二极管承受的正向电压大到一定值（门槛电压UTO），正向电流才开始明显增加，处于稳定导通状态。与正向电流IF对应的电力二极管两端的电压UF即为其正向电压降。 电力二极管的主要参数: 1. 正向平均电流 IF(AV) （额定电流）： 正弦半波电流的平均值Id: 正弦半波电流的有效值I: I/Id=1.57, （（额定电流为IF(AV)的二极管允许的电流有效值为：1.57 IF(AV) 2. 正向压降UF 3. 反向重复峰值电压URRM：是其雪崩击穿电压UB的2/3 4. 最高工作结温TJM：通常在125~175(C范围之内 5. 反向恢复时间trr：trr= td+ tf 6.浪涌电流IFSM 电力二极管的主要类型：①普通二极管（反向恢复时间较长，一般在5(s以上；多用于开关频率不高（1kHz以下）的整流电路中；正向电流定额和反向电压定额可以达到很高，分别可达数千安和数千伏以上）②快恢复二极管（反向恢复过程很短, 5(s以下；耐压较低）③肖特基二极管（单极型；反向恢复时间很短（10~40ns）；正向恢复过程中也不会有明显的电压过冲；反向耐压不高，多用于200V以下；反向漏电流较大，且对温度敏感） 半控型器件——晶闸管 晶闸管导通条件：晶闸管承受正向阳极电压，并在门极注入正向触发电流。 门极触发：为了节省驱动功率，减小驱动损耗，驱动信号通常采用脉冲信号 维持晶闸管导通的条件是：使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流（即维持电流）。 怎样才能使晶闸管由导通变为关断：可通过外加反向阳极电压或减小负载电流的办法，使流过晶闸管的电流降到维持电流值以下。（阳极电流〈 维持电流 或阳极反电压〉 其他几种可能导通的情况：①阳极电压升高至相当高的数值造成雪崩效应②阳极电压上升率du/dt过高③结温较高④光直接照射硅片，即光触发（只有门极触发（包括光触发）是最可靠的控制手段） 晶闸管的基本特性： 开通过程（特性图) 延迟时间td：门极电流阶跃时刻开始，到阳极电流上升到稳态值的10%的时间 上升时间tr：阳极电流从10%上升到稳态值的90%所需的时间 开通时间tgt： tgt=td+ tr 普通晶闸管延迟时间为0.5~1.5(s，上升时间为0.5~3(s 关断过程 反向阻断恢复时间trr：正向电流降为零到反向恢复电流衰减至接近于零的时间 正向阻断恢复时间tgr：晶闸管要恢复其对正向电压的阻断能力还需要一段时间 在正向阻断恢复时间内如果重新对晶闸管施加正向电压，晶闸管会重新正向导通 关断时间tq： tq=trr+tgr 普通晶闸管的关断时间约几百微秒 晶闸管的主要参数： 1. 电压定额 1)?断态重复峰值电压UDRM：在门极断路而结温为额定值时，允许重复加在器件上的正向峰值电压。 2)?反向重复峰值电压URRM：在门极断路而结温为额定值时，允许重复加在器件上的反向峰值电压。 额定电压——UDRM和URRM中较小的值 选用时，额定电压要留有一