第4章ⅲ-v族化合物太阳电池.pptVIP

多结面太阳电池的设计要考虑到的重点 能隙的选择 多结面太阳电池中每层材料的能隙大小，决定了每个太阳光子会在哪一层里面被吸收掉。 在理想状态下，每一层之间的能隙差异应该要设计到差不多才比较好，这样每一层的太阳电池才能吸收相等能量的太阳光谱。光线中超过该层材料的能隙的能量，会转换成热能消耗掉，因此每层之间的能隙差异要越小越好。 为了吸收最多的太阳光源，越上层的薄膜应具有越大的能隙，越底层的薄膜应具有越小的能隙。 使用越多层的多结太阳电池，其对太阳光的吸收效率越好，但这也意味着制造成本的增加。 能隙的选择 以目前比较常见的三结太阳电池所使用的GaInP/GaAs/Ge太阳电池为例，GaInP的能隙为1.8eV、GaAs的能隙为1.4eV、Ge的能隙为0.7eV，所以在堆叠上GaInP就必须在最上层，而Ge则放在最底层。 借由调整三元或四元化合物中的元素的组成比例，就可变化出很广范围的能隙。 以三元化合物GaInP为例，其能隙为1.85eV，而晶格常数为5.65à，如果我们要想得到较小的能隙，那么我们可以下降Ga的比例而增加In的比例，直到Ga的比率降到0为止，这是得到的就是InP（能隙为1.3Ev）。 晶格常数 所谓的多结太阳电池是指，是在同一的基板上，一层接一层的长上不同材质的半导体薄膜。 要使得最上层与最底层之间达到最大的光电流的话，最好是每一层的材料都能具有相同的结晶构造。 晶格常数是指一个结晶物质的单位晶格的原子间距，它与结晶构造及元素组成有关。 在多结太阳电池的设计中，不止要考虑到能隙的安排，也要注意到层与层之间的晶格匹配性。 晶格常数 当层与层之间的晶格常数差异过大时，它将会在晶体中产生缺陷或差排，因此增加少数载流子再结合的机会，因而降低太阳电池的效率。 根据研究，晶格常数差异达到0.01%，就已会显著影响到光电效率，GaInP、GaAs、Ge三者的晶格常数非常的接近，这是他们被广为采用的原因之一。 电流的匹配性 由于多结面太阳电池是种串联式的接合，电流会由太阳电池的顶端流向底端，所以通过每一层的电流必须是相同的。因此，太阳电池的整体输出电流，便会受限于各别接面所产生的最小电流。 如果要得到最大的效率，在设计上要让各接面可以产生相同的光电流。而在半导体接面产生的光电流，主要是与大于能隙的入射光子数目及材料对光的吸收率有关。 4、薄膜厚度 前面提到的两项影响光电流的因素，也决定了太阳电池需要如何的薄膜厚度才足够。 例如当太阳光照射到太阳电池可以产生大量的光子话，所需的薄膜厚度就可以薄一些。如果薄膜层对光的吸收率低的话，就要使用厚一点的薄膜。 以GaInP/GaAs/Ge多结太阳电池为例，由于Ge对于光吸收系数最低，所以需要比较厚的Ge薄膜层。比较常见的应用是采用150um厚的Ge层。 4.6 GaInP/GaAs/Ge太阳电池 因为可以达到30%左右的效率，使得GaInP/GaAs/Ge成为目前最普遍的Ⅲ-V族多结太阳电池。 它是由GaInP、GaAs、Ge等三个太阳电池串联在一起构成的， 在制造上它们是利用MOCVD的方法，在同一基板上一层接一层的长上这些不同成分的薄膜而形成的。 它的主要优点是GaInP、GaAs、Ge等三个半导体材料具有非常接近的晶格常数，使得异质外延的生长相对的比较容易 4.6.1 Ge电池 应用于太空方面的Ⅲ-V族多结太阳电池，通常是以锗当基板。这主要是因为锗的制造成本较低，及具有优于砷化镓的机械性能，此外其晶格常数非常接近砷化镓（Ge=0.5657906nm， GaAs=0.565318nm），具有很好的匹配性。 但是锗也具有一些缺点，例如锗为非直接能隙材料，使得开路电压Voc仅能达到300mV，而且其开路电压对温度很敏感。 由于 Ga、As、In、P都算是Ge的参杂物，所以在锗电池上长GaAs及GaInP薄膜时，这些元素都难免会扩散进入Ge电池内，因此整个Ge电池技术的特性在于减少这些不必要的扩散现象，精确的控制导电率及型态，及如何在其上面长出零缺陷的GaAs异质结外延层。 4.6.2 GaAs电池 虽然Ge与GaAs两者之间的晶格常数非常的接近，但在Ge上长出的GaAs异质外延层的品质却是充满变化的。 GaAs外延层的品质指标在于薄膜表面的粗糙度及晶格缺陷，例如差排密度。根据研究，如果在GaAs中添加1% In，所形成的Ga0.99In0.01As外延的品质会优于一般的GaAs外延。 在GaAs电池上面的窗口层，通常可采用AlxIn1-xP或GaxIn1-xP薄膜。理论上而言AlxIn1-xP比GaxIn1-xP更适合当窗口层，因为其具有大的能隙。但由于AlxIn1-xP对于气污染相当敏感，所以比较难与GaAs形成好的接合品质。因此GaxIn1-xP薄膜反而比较常用来当