自顶向下贯穿腐蚀制备空腔型fbar的方法 top-down through-via wet etching method to fabricate cavity type fbar.pdfVIP

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2017-08-27 发布于上海
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自顶向下贯穿腐蚀制备空腔型fbar的方法 top-down through-via wet etching method to fabricate cavity type fbar.pdf

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自顶向下贯穿腐蚀制备空腔型fbar的方法 top-down through-via wet etching method to fabricate cavity type fbar

第卷第期压电与声光３６５Ｖｏｌ．３６Ｎｏ．５　　　　年月２０１４１０ＰＩＥＺＯＥＬＥＣＴＲＩＣＳ＆ＡＣＯＵＳＴＯＯＰＴＩＣＳＯｃｔ．２０１４文章编号：（）１００４２４７４２０１４０５０６７９０６　　自顶向下贯穿腐蚀制备空腔型ＦＢＡＲ的方法，，１２３２３２２高杨，何移，周斌，何婉婧，李君儒　　　（中国工程物理研究院电子工程研究所，四川绵阳；西南科技大学信息工程学院，四川绵阳；１．６２１９９９２．６２１０１０３．重庆大学新型微纳器件与系统技术国防重点学科实验室，重庆４０００４４）摘要：牺牲层释放是空腔型薄膜体声波谐振器（）工艺中形成空腔结构的关键步骤，牺牲层释放的效果ＦＢＡＲ　　　直接决定了空腔型ＦＢＡＲ的谐振特性。根据空腔型ＦＢＡＲ中气隙的功能和结构特点，提出了自顶向下贯穿腐蚀牺牲层制备镂空空腔型ＦＢＡＲ的创新工艺方法。为验证该方法的可行性，采用ＭＡＴＬＡＢ对牺牲层腐蚀的恒扩散系数（）模型进行数值迭代，采用软件对其腐蚀过程进行仿真，根据仿真结果提出释放窗口的优化设计；采ＣＤＣＳｉｌｖａｃｏ用ＡＮＳＹＳ软件对镂空ＦＢＡＲ的谐振特性进行有限元仿真分析，对比常规ＦＢＡＲ发现，镂空ＦＢＡＲ具有较好的谐振特性，且其阻抗零点、阻抗极点频率向高频段漂移，有效机电耦合系数和品质因数降低。关键词：薄膜体声波谐振器（）；空腔型；牺牲层腐蚀；释放窗口；谐振仿真ＦＢＡＲ中图分类号：文献标识码：ＴＮ７１３＋．２Ａ　　　Ｔｏ ｄｏｗｎＴｈｒｏｕｈｖｉａＷｅｔＥｔｃｈｉｎＭｅｔｈｏｄｔｏＦａｂｒｉｃａｔｅＣａｖｉｔＴｅＦＢＡＲｐｇｇｙｙｐ，，