408nmInGaNGaNLED的材料生长及器件光学特性.PDFVIP

第 28 卷 　第 1 期 半 　导 　体 　学 　报 Vol . 28 　No . 1 2007 年 1 月 C H IN ES E J O U RN AL O F S EM I CON D U C TO RS J an . ,2007 408nm In Ga N/ Ga N L ED 的材料生长 及器件光学特性 王晓华 　展 　望 　刘国军 (长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室 , 长春 　130022) 摘要 : 通过提高 In GaN 量子阱结构的生长温度 ,降低量子阱 In 组分的掺入效率 ,提高 In GaN/ GaN 量子阱结构生 长质量 ,缩短 L ED 输出波长等手段 ,实现了紫光 L ED 高效率输出. 采用高分辨率 X 射线双晶衍射 、扫描隧道显微 μ μ 镜和光致发光谱技术研究了高温生长 In GaN/ GaN 多量子阱的结构和光学特性. 封装后的 300 m ×300 m L ED 器 件在 20mA 的注入电流下输出功率为 52mW ,输出波长为 408nm . 关键词 : 量子阱; GaN ; L ED EEACC : 4260D 中图分类号 : TN 3 12 8 　　　文献标识码 : A 　　　文章编号 : 02534 177 (2007) 0 10 10404 实现高亮度的白光 L ED 输出. 虽然 目前紫外波段取 1 　引言 得很大进展 ,但是由于生长技术方面的限制 ,实现高 由于以Ⅲ族氮化物为主的第三代半导体材料及 效率紫外波段 L ED 比较 困难. 而在波长 400 ～ L ED 等器件的技术上的突破并迅速产业化 ,科学工 4 10nm 范围内,采用低 In 组分的 In GaN 作为量子 作者一直在努力追求实现固体光源 , 以取代 目前使 阱 ,能够实现大功率 、高效率 L ED 输出. 用的白炽灯和荧光灯的照明光源系统. 以白光 L ED 本文采用低压 MOCVD 法生长 In GaN/ GaN 多 ( ) 为光源的照明市场发展潜力值得期待. 与白炽钨丝 量子阱 MQ W 紫光 L ED 结构 , 采用 比蓝光 L ED 灯泡及荧光灯相比,L ED 具有体积小 、发热量低 、耗 量子阱生长温度更高的生长温度 ,生长紫光 L ED 的 ( 电量小 、寿命长 、反应速度快 、环保 耐震动 、耐冲击 MQ W 结构 ,研究生长温度对 L ED 光学和结构特性 ) 的影响 , 以期实现紫光 L ED 高效率发光. 不易破碎 、废弃物可回收 ,没有污染 、可平面封装 、 易开发成轻薄短小产品等优点 ,没有 白炽灯泡易碎 2 　实验 及 日光灯废弃物含汞污染环境等缺点 ,是未来替代 传统照明器具的一大潜力商品. ( 4 ) 实验采用低压 10 Pa MOCVD