实验三十五等离子增强化学汽相沉积(PECVD)制备薄膜材料2.docVIP

实验三十五 等离子增强化学气相沉积制备介质薄膜材料 实验名称：等离子增强化学气相沉积（PECVD）制备介质薄膜材料 实验项目性质：综合训练 所涉及课程：集成电路工艺原理 计划学时：2学时 实验目的 了解真空的获得方法和测量技术； 了解机械泵、工作原理和操作方法； 掌握化学汽相沉积法制备薄膜材料的原理和方法。 实验原理 真空的获得和测量 真空存在于一个封闭的且压力比周围大气压小很多的环境中。压强大于102Pa的低真空系统只需初级泵（如机械泵）就可获得。中级真空和高级真空的获得需要初级泵(前级泵）和高级泵（次级泵）共同作用，如图1所示。 图1高真空系统 与真空环境获得方法密切相关的是真空的测量技术，根据真空度（气体压力）的范围的不同，其测量方法和原理也各不同。真空测量元件常被称为真空规，真空测量技术分为低真空和高真空测量，常用的有三种方法： 热偶真空规：气体的热导率随气体压力变化，通过热电偶测出热丝的温度，也就相应的测出了环境的气体压强。测量范围0.1-100Pa. 薄膜真空规: 通过薄膜在气体压力差下产生机械位移，测量电极间电容，对气压进行绝对测量，测量结果与气体种类无关。测量范围： 10-3 - 100Pa 电离真空规: 由阴极，阳极和离子收集极组成，热阴极发射电子飞向阳极的过程中，使气体分子电离，并被离子收集极收集形成电流，根据离子电流测出气体压强。测量范围：10-9 - 1Pa 2．等离子体增强化学气相沉积制备薄膜的基本原理 化学气相沉积（CVD）是制备各种各样薄膜材料的一种重要和普遍使用的技术，利用这一技术可以在各种基片上制备元素及化合物薄膜。在化学气相沉积过程中，气体与气体在包含基片的真空室中相混合。在适当的温度下，气体发生化学反应将反应物沉积在基片表面最终形成固态薄膜。在所有化学气相沉积过程中所发生的化学反应是非常重要的。 等离子增强化学气相沉积（PECVD）是使用等离子体能量来产生并维持CVD反应。等离子体的基本作用是促进化学反应，在等离子体中电子的平均能量（1-20eV）足以使大多数气体电离或分解，从而使PECVD的反应温度远低于LPCVD的反应温度，各种薄膜材料都可以在温度敏感的基片上形成。在真空室中施加射频（13.56MHz）功率使气体分子分解，被激发的分子具有化学活性很容易与其它原子键合形成粘附在衬底表面的薄膜，如图2所示。气态的副产物通 过真空泵系统排出。在衬底表面发生的等离子增强CVD很复杂。沉积形成的薄膜的结构合性质依赖于诸多因素：如电极的构造（电容式或电感式）、电极之间的距离、射频电源的功率、气体的组分、气体的压强、气体的流速以及衬底的温度等等。 射频等离子体增强化学汽相沉积系统主要由以下几部分组成： （1）真空反应室； （2）射频耦合电极； （3）加热样品盘； （4）气路系统； （5）真空抽气系统； （6）升降系统； （7）真空测量系统； （8）电器控制系统。 图2 等离子体增强CVD中薄膜的形成 实验内容 反应室进行抽真空，学会真空系统的操作规程 在玻璃和单晶硅衬底上制备出类金刚石薄膜 实验仪器设备和材料清单 等离子增强化学气相沉积设备，乙炔，载玻片，硅片，酒精，丙酮 实验步骤 实验前的准备工作 1．清洗好用于沉积薄膜的衬底 2．根据实验要求，调好样品盘与射频电极的距离 3．关闭真空系统的所有阀门 4．打开冷却水进水阀，保证冷却水畅通。 5．实验前，请认真阅读实验指导书 （二）实验程序 1．抽真空 按总电源按纽开关“开”，此时，总供电源的电已经加上，各电源都处于准备工作状态 按机械泵按纽开关“启动”，机械泵开始工作，打开“手动碟阀”。此时机械泵对反应室进行抽气。开启复合真空计即可测系统的真空度。 背底真空度达到几3Pa-5Pa 2．制备薄膜 （4）待真空度达到实验要求，反应室充气：打开气瓶阀门，打开流量计开关，调节流量计旋纽，打开V1阀， 反应室的总气压为维持在10-15Pa左右. （7）开启射频电源，使输出功率为80W左右。[需要的话可对衬底加热]。薄膜开始生长。 （三）停机 实验结束后，先关闭射频电源，{负偏压电源，衬底加热电源}，气源，5-10分钟后，关闭手动碟阀，关闭机械泵。 （四）取样 系统停机后，可由充气阀向系统充入大气，待系统充好气后，打开真空室盖子，取出样品。切忌没有充气，就打盖子，避免出现意外事故。 注意事项 操作前，请仔细阅读实验指导书和各种相关部件的说明书。 由于射频电源两极悬空，故电源面板有残余电量，做实验时小心面板漏电，造成伤害。 做射频实验时，为安全起见，请关闭复合真空计，由上海振太薄膜真空计监测真空度。 射频电源工作前需预热5分钟，关闭后应冷却5分钟。 热丝加热电源当调节电压时电流增大的过程中，电源内部回有些