模拟电路课后第四章答案.docVIP

第四章 习题解答 4-1 如题4-1图所示MOSFET转移特性曲线，说明各属于何种沟道？若是增强型，开启电压等于多少？若是耗尽型，夹断电压等于多少？ 答：（a）P-EMOSFET，开启电压 （b）P-DMOSFET，夹断电压（或统称为开启电压 （c）P-EMOSFET，开启电压 （d）N-DMOSFET，夹断电压（或也称为开启电压 4-2 4个FET的转移特性分别如题4-2图(a)、(b)、(c)、(d)所示。设漏极电流iD的实际方向为正，试问它们各属于哪些类型的FET？分别指出iD的实际方向是流进还是流出？ 答：（a）P-JFET，的实际方向为从漏极流出。 （b）N-DMOSFET，的实际方向为从漏极流进。 （c）P-DMOSFET，的实际方向为从漏极流出。 （d）N-EMOSFET，的实际方向为从漏极流进。 4-3 已知N沟道EMOSFET的μnCox=100μA/V2，VGS(th)=0.8V，W/L=10，求下列情况下的漏极电流： （a）VGS=5V，VDS=1V； （b）VGS=2V，VDS=1.2V； （c）VGS=5V，VDS=0.2V； （d）VGS=VDS=5V。 解：已知N-EMOSFET的 （a）当时，MOSFET处于非饱和状态 （b）当时，，MOSFET处于临界饱和 （c）当时，，MOSFET处于非饱和状态 （d）当时，，MOSFET处于饱和状态 4-4 N沟道EMOSFET的VGS(th)=1V，μnCox（W/L）=0.05mA/V2，VGS=3V。求VDS分别为1V和4V时的ID。 解：（1）当时，由于 即，N-EMOSFET工作于非饱和区 （2）当时，由于，N-EMOSFET工作于饱和区 4-5 EMOSFET的VA=50V，求EMOSFET工作在1mA和10mA时的输出电阻为多少？每种情况下，当VDS变化10%（即ΔVDS/VDS=10%）时，漏极电流变化（ΔID/ID）为多少？ 解：（1）当，时 当，时 （2）当变化10%时，即 由于 （对二种情况都一样） 或者：由于 4-6 一个增强型PMOSFET的μpCox（W/L）=80μA/V2，VGS(th)=－1.5V，λ=－0.02V-1，栅极接地，源极接+5V，求下列情况下的漏极电流。 (a) VD=+4V； (b) VD=+1.5V； (c) VD=0V； (d) VD=－5V； 解：根据题意，P-EMOSFET导通 （a）当时，由于此时 P-EMOSFET处于非饱和状态 （b）当时，此时 P-EMOSFET处于临界饱和状态 （c）当时，， 即，P-EMOSFET处于饱和状态 （d）当时，， 即，P-EMOSFET处于饱和状态 4-7 已知耗尽型NMOSFET的μnCox（W/L）=2mA/V2，VGS(th)=－3V，其栅极和源极接地，求它的工作区域和漏极电流（忽略沟道长度调制效应）。 (a) VD=0.1V； (b) VD=1V； (c) VD=3V； (d) VD=5V； 解：根据题意，则， （a）当时，＜ N-DMOSFET工作于非饱和区（或三极管区） （b）当时，＜ N-DMOSFET工作于非饱和区 （c）当时， N-DMOSFET工作于临界饱和状态，由于忽略沟道长度调制效应，则 （d）当时，＞ N-DMOSFET工作于饱和区，由于忽略沟道长度调制效应，则 4-8 设计题4-8图所示电路，使漏极电流ID=1mA，VD=0V，MOSFET的VGS(th)=2V，μnCox=20μA/V2，W/L=40。 解：由于 则 又由于 ＞，MOSFET处于饱和工作区 且， 则 代入数据得： 得 因为＜不符合题意，舍去 又 则 得 4-9 题4-9图所示电路，已知μnCox（W/L）=200μA/V2，ＶGS(th)=2V，ＶA＝