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习题、答案 第二章习题、答案 习题 思考题 1．什么是二极管的单向导电性？ 2．理想二极管指的是什么？ 3．什么是二极管的反向恢复时间？ 4．稳压二极管电路中的限流电阻有何作用？ 5．共发射极三极管电路的放大作用是如何实现的？ 6．如何判断三极管工作状态：截止区？放大区？还是饱和区？ 7．三极管的开启时间和关闭时间指的是什么？ 8．MOS场效应管的开启电压是什么？ 9．如何判断NMOS场效应管的工作状态：截止区？恒流区？还是可变电阻区？ 10．MOS场效应管的跨导gm是如何定义的？ 11．MOS场效应管的导通电阻rDS是如何定义的？在可变电阻区和恒流区rDS值是否相同？ 填空题 l，N型半导体中的多数载流子是＿＿＿＿＿。 2．PN结具有＿＿＿导电性。 3．半导体二极管、三极管有硅管和＿＿＿管。 4．硅管二极管的导通电压UON约为＿＿＿，导通后其管压降约为＿＿＿；锗管 的UON约为＿＿＿，导通后其管压降约为＿＿＿。 5．理想二极管导通时，其管压降UD=＿＿＿、其等效电阻 rD=＿＿＿。 6．三极管是一种电＿＿控制器件。 7．在 NPN型硅三极管输出特性曲线上，截止区：uBE＜＿＿，iB=＿＿，iC = ＿＿；在放大区：uBE=＿＿，UC＿＿UB β= ＿＿；在饱和区：uBE=0.7V，uCE=UCES其值约为＿＿＿，iBS＞＿＿＿， Uc＿＿UB。 8．场效应管是一种电＿＿控制器件。 9．场效应管的输入电阻rGS约为＿＿＿＿Ω、是高值电阻，因此栅极电流入IC=＿＿。 10．从增强型NMOS场效应管的转移特性曲线中，易于找出＿＿电压的数值；在漏极特性曲线中,在夹断区：uGS＜＿＿，iD=＿＿；在恒流区：uGS≥＿＿且uDS值比较＿＿,电流iD受＿＿控制，基本上与＿＿值天关，rDS值很＿＿；在可变电阻区，uGS＞＿＿且uDS值比较＿＿，导通电阻rDS(ON)的值约为＿＿Ω。跨导gm的定义为＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿。 11．场效应管的开关速度主要受管子的＿＿电容影响，其数值通常在皮法拉级。 练习题 1．? *(2-1)在下图P1.1（a）、(b)、（c）电路中,设二极管为理想二极管,输入电压uI=5sin(2πX1000t)V,波形如图（d）所示。试分别画出各电路uO波形。 图P1.1 2．? *(2-2)一个NPN型硅三极管电路如图P1.2（a）所示，其输出特性曲线如图P1.2（b）所示。试在（b）图上标出截止区、饱和区及放大区。 图P1.2 3. *(2-3)在上题中，在UCE=10.6V、IB=30μA工作点处，估算管子的电流放大系数β值。 4．*(2-4)若已知一个三极管的集电极最大允许功耗650mW，问： （l）当UCE=15V时，其最大允许集电极电流IC=？ （2）当UCE=0.3V时，其最大允许集电极电流IC=？ 5．*(2-5)在习题2中，若已知管子的导通电压 UON=0.6V，管子导通后UBE=0.7V，UCES=0.3V, β使用习题3计算的结果。若输入电压出为幅值为5V，频率为1kHz的脉冲电压源，试分析： （l）电路在uI=UIL=OV和uI=UIH=5V时的工作状态（截止，饱和，放大？） （2）若固定Rb值不变，求电路工作在临界饱和区时Rc最小值。 （3）着固定Rc值不变，求电路工作在临界饱和区时Rb最大值。 6．*(2-6)对于图P2.2所示电路和输出特性曲线，若已知Rb=4OkΩ，Rc=2kΩ，Uc=12V，β=70。问uI的高电平UIH为何值，才能使管子达到饱和状态。 7．已知一个增强型NMOS管转移特性和漏极特性曲线如图P1.7所示，问： 图P1.7 (1)管子的开启电压UTN=？ (2)在恒流区，估算当uGS从5.OV变化到5.5V时，管子的跨导值gm 。 (3)对于uGS=6V，uDS大约为何值时，管子由可变电阻区进入到恒流区？ (4)在可变电阻区，取uGS=6V，两个工作点上uDS,iD数值分别为（0.4lV,113μA）、(1.0V,250μA),试估计导通电阻rDS(ON) 值。 答案 思考题 1.加正向偏压，有利于扩散，形成较大的正向电流，导通；加反向偏压，有利于漂移，形成微弱的反向电流，截止。 2.视为理想开关,即正向导通时内阻rD=0和正向电压峰UD=0,反向截止时IR=0(开路)。 3.由导通状态变为截止状态所经历的时间,即tre。