ZNO薄膜材料.pptVIP

ZNO半导体薄膜材料 2012103120 王春雨 简介 制备方法 应用 研究进展 ZNO材料简介及基本性质 氧化锌是重要的Ⅱ-Ⅳ族半导体氧化物，其能带隙和激子束缚能较大，是一种理想的透明电薄膜,可见光透射率高达90%。?电阻率可低至10-4Ω·cm，有优异的常温发光性能，在室温下就有光致发光效应的发光材料。在半导体领域的液晶显示器、薄膜晶体管、发光二极管等产品中均有应用，在紫外光探测和发射方面具有很好的应用潜力，同时它还具有很高的热稳定性和较强的抗辐射损伤能力,原料廉价,薄膜外延生长,温度低于700℃。且对环境无污染。 Zno晶体结构 氧化锌晶体有三种结构：六边纤锌矿结构，立方闪锌矿结构，以及比较罕见的氯化钠式八面体结构。纤锌矿结构在三者中稳定性最高，因而最常见。 zno薄膜的粒子是六方结构 制备方法 磁控溅射法 分子束外延法 金属有机物化学气相沉积 激光脉冲沉积法 ? 喷雾热分解法 磁控溅射法 磁控溅射是目前国内研究最多，工艺最成熟的一种薄膜制备方法。溅射是利用高能带电粒子轰击靶材，使靶材原子或分子被溅射出来并沉积到衬底成膜。主要分为直流磁控溅射、射频磁控溅射和中频磁控溅射。如果靶材是金属Zn 靶，则溅射过程要通入O2，使沉积过程中Zn 与O2发生反应生成ZnO，这属于反应磁控溅射。 分子束外延法(MBE) MBE法是一种真空蒸发技术，即把原材料通过高温加热使之转化为气态， 气态分子在真空中以一定的速度向衬底运动并且在衬底上沉积生长。原材料一般选择高纯度的金属Zn，氧源一般是高纯O2，还可以用NO、NO2、H2O2等。MBE 生长ZnO薄膜需要超高真空条件，本底压强要达10-7Pa 数量级，一般选择蓝宝石为衬底。MBE 是一种在原子级范围内可控制的薄膜生长方法。 金属有机物化学气相沉积 该法生长ZnO薄膜，常用二甲基锌［（CH3）2Zn］（DMZn），二乙基锌［（C2H5）2Zn］（DEZn），醋酸丙酮锌［Zn（C5H7O2）2］等为锌源；O2和H2O 作为氧源。用DMZn或DEZn作锌源时反应较剧烈，生长速率较快，反应难以控制，生长的ZnO 薄膜质量下降。通过对反应堆的改进或采用反应速率较慢的锌源，可以生长出高质量的ZnO薄膜。 激光脉冲沉积法 它是将高功率的脉冲激光束经过聚焦之后通过窗口进入真空室照射靶材，激光束短时间内在靶表面产生高温，使之气化，产生等离子体，等离子体向外膨胀并在衬底上沉积形成薄膜。 喷雾热分解法 喷雾热分解法一般是将金属盐溶液雾化后喷入高温区，使金属盐在高温下分解形成薄膜。制备ZnO薄膜时，原料一般是溶解在有机溶剂中的醋酸锌，通过超声雾化法或载气流喷射雾化法将醋酸锌溶液雾化，并把它导入反应腔，在加热过程中先后经过溶剂的挥发、醋酸锌的分解等过程， 最终残余物质为ZnO。