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光觸媒分解實驗 化材四乙 陳聖鈞 陳人豪 葉厚存49640101前言 近來太陽能材料發展趨勢主要方向為：高效率、聚光型、可饒式、室內用。 薄膜式光電池所使用材料較少是較環保且具能源效率的產品，如二氧化鈦在能源應用在於廣為被研究之燃料電池為綠色能源，若能有效應用光觸媒為電極，可將光能轉為電能加以利用，在可見光化後，更可大幅提高這方面的應用性。 研究動機 若直接將二氧化鈦粉體加入廢水中，作為氧化觸媒，在紫外光共同作用的情形下，的確可加速廢水中有機成分之分解，但是粉體加入廢水後不易回收，反而造成懸浮粒子的二次污染。 二氧化鈦粒子本身會吸收紫外光，粉體添加太多，反而使紫外光之穿透量受限；添加太少，則效果不足。因應解決催化劑的回收及改善光催化膜固定於不鏽鋼基板並嘗試降低熱處理溫度以利於提高基材選擇多變性，研究的重要方向在於二氧化鈦薄膜的製備。 光觸媒簡介 所謂觸媒，是指會降低活化能協助或加速反應進行，但不會直接參與反應的催化材料，理論上他的量是不會隨著反應進行而減少，是種永久性的材料。最早是由日本科學家Fujishima和Honda 首先發現在照光下（λ＜415nm）發現。其中一般作為光觸媒的半導體材料以催化活性較高的TiO2、ZnO、CdS為主。 光催化材料 光催化反應是以半導體作為光觸媒，將光能轉為化學能的步驟。半導體材料很多n型化合物半導體有TiO2、CdS、ZnO、WO3、Fe2O3、SnO2。 由於不同的能帶結構會影響光觸媒半導體材料的光學性質，要成為實用性高的光觸媒材料，最重要的條件就是化合物的價電子帶和導電帶的能隙不能太大，且在光線照射下，激發電子由價電子帶跳躍至導電帶，其電位足以達成水的電解，產生氫氣和氧氣。 為何會使用TiO2 二氧化鈦以其穩定的化學性質、強氧化還原性、難溶、無毒、成本低等，最重要的是其能隙為3.2 eV，因二氧化鈦是一種n型半導體材料。可以使用公式: λg(nm) ＝ 1240(nm．eV)／Eg(eV) 以二氧化鈦材料的能隙為3.2 eV 為例，則須387.5 nm 以下的入射光為能量，而此一波長區為紫外光區，故只要太陽光中所含的紫外光便可達到光催化的目的。 半導體氧化還原力分類表 二氧化鈦晶體結構 二氧化鈦為n型半導體，基本分子結構屬閃鋅晶格，以鈦原子為中心，周圍有6個氧原子形成配位數為6的八面體結構，其中鈦原子具有22個電子，利用外圍3d軌域的4個價電子與氧原子形成共價鍵。 TiO2結構單元的連接 TiO2的晶體結構皆是 基本單元八面體TiO6組成每個八面體的鍵結方法通過共頂點或共邊組成晶體結構 分析儀器 場發式掃描式電子顯微鏡(FESEM) 主要是利用高加速電壓之入射電子束打擊在試片後，產生相關二次訊號來分析各種特性，一般的二次訊號包括直射電子、散射電子、二次電子、背向散射電子、Auger 電子及X 射線等。掃描式電子顯微鏡由於景深（Depth of Focus）大，研究物體之表面結構功效特別顯著。 X-光薄膜繞射儀(XRD) X-光薄膜繞射儀(XRD) 繞射強度做晶體微結構分析、定量分析和非晶材料之結晶度分析；由繞射峰形可做晶粒大小及力度分佈分析、內應力測定。 實驗原理 UV 光照射系統 亞甲基藍(Methylene Blue)溶液為一藍色染料，對許多物質表面皆能產生相當的吸附作用，且不容易因照光而分解，光觸媒的氧化還原分解能力可以分解亞甲基藍，藉由亞甲基藍溶液的濃度變化，我們可以量測出該光觸媒薄膜的分解能力優劣。 觀察該試劑對光的吸收頻譜，可以發現在波長246nm、292nm、610nm、664nm 處有幾個吸收峰值，其中以664nm 處的吸收量最為明顯，即可多藉此處的吸收頻譜變化來推論出亞甲基藍溶液的濃度變化，進而量出光觸媒氧化還原分解能力的強度。 結果與討論 不銹鋼經清洗後濺鍍金屬Ti 於試片(代號S)，其膜厚約4.5μm 其表面形貌如圖，表面為層狀。 二氧化鈦表面觀察 試片S 經浸置過氧化氫1 分鐘內即有劇烈反應，顏色由亮金屬色轉變為深咖啡色，顯示表面結構已有變化，在經3 分鐘顏色再改變，推論是Ti 薄膜在受過氧化氫腐蝕一段時間後，金屬鈦會在試片表面溶出所以導致試片反白，時間在拉長至約8 分鐘後可以看到表面已呈現黑色狀態，隨著時間達30 分鐘腐蝕深度也達到試片厚度，表面顏色慢慢有變淺綠的趨勢，若時間再增加Ti 薄膜就會被腐蝕光，而且一些金屬鈦在底部也可以增加導電度，所以最後選擇腐蝕10 分鐘為實驗條件，留大約2μm 的厚度在薄膜底部。 XRD 繞射分析 試片S 浸置80℃過氧化氫並持溫10 分鐘後分別熱處理200℃、250℃，其銳鈦礦相並不明顯，