半导体器件物理10.ppt

* § 2.3 晶体管的电流放大原理 晶体管工作在正向有源模式下（ ， ）具有放大电信号的功能，这是晶体管最主要的作用。单个 PN 结只具有整流作用而不能放大电信号，但是当两个彼此很靠近的 PN 结形成晶体管时，两个结之间就会相互作用而发生载流子交换，晶体管的电流放大作用正是通过载流子的输运体现出来的。 1．平衡晶体管的能带 在晶体管的三个端不加外电压时（即平衡状态下），晶体管具有统一的费米能级，其能带和载流子的分布如图所示。 2．正向有源模式下的能带 晶体管处于放大模式下的能带和少子分布如图所示。 由于发射结正偏，势垒降低了 ，电子将从发射区向基区注入，空穴将从基区向发射区注入，基区出现过量电子，发射区出现过量空穴。过量载流子浓度取决于发射结偏压的大小和掺杂浓度。当基区宽度很小（远远小于电子的扩散长度）时，从发射区注入到基区的电子除少部分被复合掉外，其余大部分能到达集电结耗尽层边缘。集电结处于反向偏压，集电结势垒增加了 。来到集电结的电子被电场扫入集电区，成为集电极电流。这个注入电子电流远大于反偏集电结所提供的反向饱和电流，是集电极电流的主要部分。如果在集电极回路中接入适当的负载就可以实现信号放大。 基区宽度很窄是晶体管实现放大作用的必要条件之一。如果基区较宽（大于电子扩散长度），注入到基区的过量电子在到达集电结之前被复合殆尽，此时晶体管是两个背靠背的 PN 结，不可能有放大作用。 下图表示处于放大状态的 N+PN 晶体管内的各电流分量。发射极和基极处于输入回路，基极和集电极处于输出回路，基极作为公共端，这种连接方法称为共基极接法。 3．电流分量 （1）发射极电流 发射极电流 主要由三部分组成： 从发射区注入到基区中的电子扩散电流 ，这股电流大部分能够传输到集电极，成为集电极电流 的主要部分 从基区注入到发射区的空穴扩散电流 ，这股电流对集电极电流 无贡献，且还是基极电流 的一部分 发射结空间电荷区耗尽层内的复合电流 ，这部分电流很小，根据假设通常不考虑 （2）基极电流 基极电流 由四部分组成： 发射结正偏，由基区注入到发射区的空穴扩散电流 基区复合电流 ，它代表从发射区注入基区的电子与基区空穴复合形成的电流 发射结空间电荷区耗尽层内的复合电流 （很小忽略） 集电结反偏的反向饱和电流 ，这部分电流是由少子的漂移形成，通常要比 和 小很多 （3）集电极电流 集电极电流 主要有两部分： 扩散到集电结边界的电子扩散电流 ，这些电子在集电结电场作用下输运至集电区，它是一股反向大电流，是集电极电流 的主要部分 集电结反向饱和电流 。 可见，总的发射极电流 等于到达集电极的电子电流 和通过基极流入的空穴电流 之和。一只好的晶体管， 与 十分接近，而 很小。 4．晶体管的直流电流-电压关系 （1）求 是从发射区注入到基区的电子在基区扩散形成的电流。根据假定，基区宽度（ ）远小于少子电子在基区中的扩散长度 ，则少子电子通过基区由于复合而损失的那部分很小，基区电子可近似看成线性分布（如图中虚线）。 可得基区电子线性分布函数为： 中性基区边界 处和 处电子浓度分别为： ① 当 较大时 可得基区电子线性分布函数为： ② 当 较小时 中性基区边界 处和 处电子浓度分别为： （2）求 是由基区注入发射区的空穴扩散电流。在发射区，少子空穴浓度呈指数分布，且发射区宽度远大于少子扩散长度，所以可直接用 PN 结理论进行处理 少子空穴浓度的边界条件为： 在发射区内，少子空穴的稳态扩散方程为（一维）： （＊） 注入发射区的空穴扩散电流为： 解方程（＊），得： ：发射区空穴扩散系数 ：发射区空穴扩散长度 其中 （3）求 是由发射区注入基区中的电子与基区中的空穴复合形成的电流，等于单位时间内基区中复合的电子数与电子电荷量之积，或者说单位时间内基区中复合的总电子电荷量，即： （ 为基区中电子寿命） 在基区很窄、电子分布为线性的假设下，基区中积累的注入电子总数，大致等于载流子线性浓度分布曲线下的面积，即： 所以得： （4）求 是由于集电结反偏，少子漂移形成的反向电流，它由电子漂移电流