半导体器件物理17.ppt

* 由于电子的迁移率比空穴的高，N 沟道 JFET 能提供更高的电导和更高的速度，在大多数应用中处于优先地位，下面的讨论仅限于 N 沟耗尽型 JFET。基于以下几点假设的 JFET 称为理想 JFET： § 4.2 理想 JFET 的 特性 栅 PN 结为单边突变结 沟道内杂质分布均匀 沟道内载流子迁移率为常数 忽略有源区以外源、漏区以及接触上的电压降，于是沟道长度为 缓变沟道近似，即空间电荷区内电场沿 方向，而中性沟道内的电场只有 方向上的分量 长沟道近似： ，于是 沿着 改变很小，看作是矩形沟道 1．线性区的电流－电压特性 如果在栅极相对于源极加负偏压 （ ），在不同的 下，可以获得 曲线，如上图所示。图中电流－电压特性可以用夹断条件作为界限划分为线性区和饱和区。 前面定性分析了漏极电流 与漏极电压 关系，在 较小时， 随 近似呈线性增加，当 增加到夹断电压后， 达到饱和，几乎不随 而变化。 ········ ① 在到达夹断条件之前（线性区）的空间电荷区的轮廓如上图所示。根据假设，栅 PN 结为单边突变结，JFET 中 处耗尽层的宽度可表示为 ：栅 PN 结的自建电势差 ：沟道 处电势（以 处为参考点） ：在 处跨在反偏结上电压差 由于假设在电中性沟道中，电子分布是均匀的，电子的浓度梯度为零，因此，漏极电流中只有电子漂移电流的成分，根据欧姆定律有（注意一维形式）： ········ ② （ ） ：电子的电导率 ：电子的迁移率 ········ ③ 式中， 为没有任何耗尽层时的沟道电导。 将 ① 式代入 ② 式积分，积分限 ： 的有源区长度；电压 ： 式 ③ 可以很好地描述线性区（在到达夹断条件之前）的漏极电流 与漏极电压 的关系，与实验结果十分接近。上式长期被看作是描述长沟道 JFET 线性区直流特性的基本方程。 事实上，在低漏极电压下，即在 时，③ 式可以简化为 上式表明， 与 确实是线性依赖关系。 2．夹断电压 在夹断点 处，空间电荷区的宽度正好等于沟道的宽度，即： 。同时在夹断点，跨过栅结的偏压也为常数，即： 。 称为夹断电压。因此有 为夹断电压 与自建电势差 的总和，称为内夹断电压。 3．饱和区的电流－电压特性 （1）饱和区电流－电压方程 刚好达到夹断条件时，漏极和栅极上的偏置电压的大小满足： 夹断电压 为一常数，因此，对于不同的栅电压 来说，为达到夹断条件所需要的漏电压 是不同的。 将上式在 特性图中绘制成曲线，称为夹断曲线。超出夹断曲线的电流－电压特性称为饱和区，这是由于漏极电流是饱和的。 上式与下面的经验公式非常接近 式中， 表示栅极电压为零（即栅、源短路）时的漏极饱和电流。在放大应用当中，JFET 通常工作在饱和区。 将 代入式 ③，并用到 ，可得到饱和漏极电流 为 上式把漏极电流 表示为栅极电压 的函数，反映出了栅极电压对漏极电流的控制作用，它称为 JFET 的转移特性。 （2）饱和区漏极电流特性 前面分析表明，在饱和区，不同 下，漏极电流 均不随漏极电压 而变化。但实际测量发现， 不饱和，而缓慢地随 增加而上升。这一现象可以用沟道长度调制效应来解释。 夹断条件规定为两个空间电荷区在沟道中心相遇，如图中实线所表示的情形。当漏极电压进一步增加时，沟道中更多的自由载流子耗尽。结果是耗尽区的长度增加，电中性的沟道长度减小。这种现象称为沟道长度调制。 在沟道中心，外加漏极电压这时由耗尽区和电中性区分摊，由电中性的沟道区承担电压 ，并由耗尽的沟道区承担电压 。由于被减短的电中性沟道长度承受着相同的电