康华光模电第六版第五章+-+5.1.pptVIP

华中科技大学 张林 * 华中科技大学 张林 * 华中科技大学 张林 * * 华中科技大学 张林 * 华中科技大学 张林 5 双极结型三极管及其放大电路 5.1 BJT 5.2 基本共射极放大电路 5.3 BJT放大电路的分析方法 5.4 BJT放大电路静态工作点的稳定问题 5.5 共集电极放大电路和共基极放大电路 5.6 FET和BJT及其基本放大电路性能的比较 5.7 多级放大电路 5.8 光电三极管 5.1 BJT 5.1.1 BJT的结构简介 5.1.2 放大状态下BJT的工作原理 5.1.3 BJT的V-I 特性曲线 5.1.4 BJT的主要参数 5.1.5 温度对BJT参数及特性的影响 5.1.1 BJT的结构简介 (a) 小功率管 (b) 小功率管 (c) 大功率管 (d) 中功率管 5.1.1 BJT的结构简介 5.1.1 BJT的结构简介 半导体三极管的结构示意图如图所示。它有两种类型：NPN型和PNP型。 NPN型 PNP型 5.1.1 BJT的结构简介 结构特点： ? 发射区的掺杂浓度最高； ? 集电区掺杂浓度低于发射区，且面积大； ? 基区很薄，一般在几个微米至几十个微米，且掺杂浓度最低。 集成电路中典型NPN型BJT的截面图 载流子的传输过程 5.1.2 放大状态下BJT的工作原理 三极管的放大作用是在一定的外部条件控制下，通过载流子传输体现出来的。 外部条件：发射结正偏 集电结反偏 1. 内部载流子的传输过程 发射区：发射载流子 集电区：收集载流子 基区：传送和控制载流子 （以NPN为例） 由于三极管内有两种载流子(自由电子和空穴)参与导电，故称为双极型三极管或BJT (Bipolar Junction Transistor)。 IC= ICN+ ICBO IE=IB+ IC 载流子的传输过程 2. 电流分配关系 根据传输过程可知 IC= InC+ ICBO 通常 IC ICBO ? 为电流放大系数。它只与管子的结构尺寸和掺杂浓度有关，与外加电压无关。一般? =0.9?0.99。 IE=IB+ IC ? 是另一个电流放大系数。同样，它也只与管子的结构尺寸和掺杂浓度有关，与外加电压无关。一般 ? 1 。 根据 IE=IB+ IC IC= InC+ ICBO 且令 ICEO= (1+ ? ) ICBO （穿透电流） 2. 电流分配关系 3. 三极管的三种组态 共集电极接法，集电极作为公共电极，简称CC。 共基极接法，基极作为公共电极，简称CB； 共发射极接法，发射极作为公共电极，简称CE； iE iC iB iC iB iE iC = ? iE iC = ? iB iE = (1+? ) iB 输出口 输入口 输出口 输入口 输出口 输入口 共基极放大电路 4. 放大作用 若 ?vI = 20mV 电压放大倍数 使 ?iE = -1 mA， 则 ?iC = ? ?iE = -0.98 mA， ?vO = -?iC? RL = 0.98 V， 当 ? = 0.98 时， 5.1.2 放大状态下BJT的工作原理 综上所述，三极管的放大作用，主要是依靠它的发射极电流能够通过基区传输，然后到达集电极而实现的。 实现这一传输过程的两个条件是： （1）内部条件：发射区杂质浓度远大于基区杂质浓度，且基区很薄。 （2）外部条件：发射结正向偏置，集电结反向偏置。 5.1.3 BJT的 I-V 特性曲线 + - b c e 共射极放大电路 VBB VCC vBE iC iB + - vCE iB= f (vBE)?vCE=const (2) 当vCE≥1V时， vCB= vCE - vBE0，集电结已进入反偏状态，收集载流子能力增强，基区复合减少，同样的vBE下 IB减小，特性曲线右移。 (1) 当vCE=0V时，相当于发射结的正向伏安特性曲线。 1. 输入特性曲线 （以共射极放大电路为例） 5.1.3 BJT的 I-V 特性曲线 (3) 输入特性曲线的三个部分 ①死区 ②非线性区 ③近似线性区 iB vBE iB vBE iB vBE 1. 输入特性曲线 5.1.3 BJT的 I-V 特性曲线 饱和区：iC明显受vCE控制的区域，该区域内，一般vCE＜0.7V (硅管)。此时，发射结正偏，集电结正偏或反偏电压很小。 iC= f (vCE)?iB=const 输出特性曲线的三个区域: 截止区：iC接近零的区域，相当iB=0的曲线的下方。此时， vBE小于死区电压