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HIT 太阳电池简介 报告人： 仲玉泉 专 业：物理电子学 学 号：2120100212 HIT（Heterojunction with Intrinsic Thin- layer）（带本征薄层异质结） 太阳电池是一种利用晶体硅基板和非晶硅薄膜制成的混合型太阳电池，它具有制备工艺温度低、转换效率高、高温特性好等特点，是一种低价高效电池。HIT 太阳电池技术是三洋公司的专利技术，目前只有三洋公司独家拥有，其实验室转换效率已达到 2３%，且 R.M. Swanson 通过理论分析，预言这种结构电池的转换效率可以超过 25%。 1.HIT 太阳电池产生背景及结构 ＨＩＴ电池结构 栅格　电极 透明导电膜 Ｐ型非晶硅层 本征层　　非晶硅层 单晶硅层 本征非晶硅层 重掺杂ｎ型非晶硅层 栅格　电极 透明导电膜 在上图表示HIT太阳电池的基本构造中，其特征是以光照射侧的p-i 型a-Si 膜( 膜厚5~ 10 nm) 和背面侧的i-n 型a-Si 膜( 膜厚5~ 10 nm)夹住单结晶Si 片, 在两侧的顶层形成透明的电极和集电极, 构成具有对称构造的HIT 太阳电池。 p-n结通过PECVD的方式，将本征非晶硅和p型非晶硅层沉积到n型单晶硅层的衬底上；在另一侧，背面场结构由本征非晶硅和n型非晶硅层构成。在两个掺杂层上TCO层和金属电极分别通过溅射和丝网印刷的方法制的。 由于HIT 太阳电池使用a-Si 构成p-n 结, 所以能够在200℃ 以下的低温完成整个工序, 和原来的热扩散型结晶太阳电池的形成温度( 约900℃) 相比较, 大幅度地降低了制造工艺的温度。由于这种对称构造和低温工艺的特征, 减少了因热量或者膜形成时产生的Si 晶片的变形和热损伤, 有利于实现晶片的轻薄化和高效化。 HIT 太阳电池以a-Si膜作为表面钝化层。a-Si 和结晶Si 相比, 能隙更宽, 由于是异质结, 内电场升高; 另外, 很大程度上影响太阳电池性能的界面电场处在结晶表面侧的耗尽层内。其结果是, 由于内电场很强, 使载流子分离, 而在结晶表面侧的复合则难以产生。这是后面要说明的HIT 太阳电池开路电压( Voc ) 高的一个原因。该高Voc 是H IT 太阳电池的一个特征, 也是后面要说明的实际发电量升高的一个主要因素。 非晶硅表面钝化层 在异质结界面附近建立起一个方向由 n 区指向 p区的内建电场，即p-n结；同时 n 型的c-Si与 n+的a-Si：H形成 n-n+结构，形成n+区指向 n 区的内建电场，即背电场。背电场产生的光生电压与 HIT 太阳电池结构本身的 p-n 结两端的光生电压极性相同，从而可以提高 HIT 太阳电池的开路电压。 Ｅ 在HIT电池中，本征a-Si：H的作用仅仅是钝化c-Si，而c-Si的作用一是与p型a-Si形成p n结，二是在光照条件下产生载流子，三是与背面a-Si形成背电场。 2.HIT 太阳电池的性能 （１）本征层的钝化效果及参数影响 HIT 电池的性能之所以优异，关键得益于在单晶硅和非晶硅之间本征非晶硅薄层的插入，从而使得单晶硅和非晶硅界面得到很好的钝化，进而得到较高的开路电压。 因为对于异质结电池来说，界面态特性(尤其是界面态密度)决定了电池的输出特性。而界面态密度主要是由沉积在 c-Si 上的掺杂 a-Si:H 引入的。引入本征非晶硅层以后，掺杂层和衬底被分开了，因此问题得到解决。HIT 结构的本质特征是使电池获得一个良好的界面，从而避免载流子的复合。钝化效果直接反映在少子寿命上，因此开展对本征非晶硅薄层钝化后硅片少子寿命的研究是制备高效 HIT 电池的前提和关键。 以下几组实验分别是不同本征层参数的影响： 2.HIT 太阳电池的性能 （１）钝化效果的一个直观表现 左图表现了HIT 太阳电池和去掉i 型a-Si膜的p-n 异质结太阳电池暗状态时的I-V 特性比较。p-n 异质结太阳电池中所发现的正向电流特性( 0. 4 V 附近) 的变化, 是由于a-Si 顶层膜中存在的高密度间隙态, 引起异质结部耗尽层的再复合而造成的。对比, 在顶层和结晶Si 之间插入高质量a-Si 膜( i 型a-Si 膜) , 通过顶层内的电场来抑制复合电流, 这就是HIT 构造。 （２）ＨＩＴ电池主要优点 1.简单的低温工艺（全部工艺在 200℃下完成，能量消耗少，同时还能避免热应力以及由此造成的对硅片的损伤，对硅片机械质量的要求也相应变低） 2.完美的钝化效果（利用高质量本征薄层钝化，创造了表面复合速率最低的世界纪录——3cm/s） 3.高稳定性（由于 HIT 电池中本征非晶硅层的厚度很薄，对光电转换的贡献很小，因此不存在非晶硅薄膜电池中由于本征层引起的 S