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第4章 微波谐振器 引言 §4.1谐振腔的基本特性参量 §4.2 矩形谐振腔 §4.3圆柱形谐振腔 §4.4 同轴型腔及微带腔 §4.6谐振腔的激励与耦合 §4.7谐振腔的等效电路 §4.8谐振腔的微扰 考查题 这种腔的电流只有圆周方向的分量，即为横向电流，因此损耗很小，品质因素很高； 因为电流只有φ方向的电流，没有电流线跨过侧壁和端面的交界线，所以TE011 腔的端壁可以做成非接触式（也不是抗流式）活塞进行调谐，活塞与腔壁之间的间隙不影响TE011 谐振腔的性能。 由于n = 0， TE011 模式不存在极化简并模式，因此不会因为腔体的微小变形而使极化面偏转，这就表现出了其场结构稳定的优点。 由于以上特点， TE011 腔可用作高精度频率计、稳频腔（与振荡器相耦合的高Q腔，其作用在于稳定振荡器频率）和回波箱（也是一种高Q腔，利用其中的强迫振荡的暂态过程所产生的脉冲波来模拟雷达的回波信号，常用来调谐雷达机）等。 但由于TE011 模式是高次模式，还有简并波型TM111 存在，使用这种腔的关键问题就是抑制和消除干扰模式。所采取的措施是采用不接触式活塞、腔内刻环形槽和选择适当的耦合机构。 有了上述措施以外，还可以利用圆柱腔的“模式图”精心设计其工作方框。下面就来讨论模式图及其应用。 下面是TE011的特点： 圆柱形谐振腔 圆柱腔中的三种常用模式 4、模式图 为便于用图形来表示圆柱谐振腔中各谐振模式的谐振频率与腔体尺寸之间的关系，作如下变换。谐振频率与谐振波长的关系为 (4.41) 圆柱形谐振腔中两大类波型的谐振波长分别是由（4.33）、(4.34)表示。将λ0代入（4.41）式中，并经过整理，可写出如下表示式： 式中D = 2a为腔的直径，v为腔内介质中的光速，若腔内填充的介质为空气，则v=c=3×1010cm/s。若频率以赫兹为单位，长度以厘米为单位，上式可写成 （4.42b） TMnip模： （4.42a） TEnip模： 显然，对于给定的振荡模式μni，vni ，p给定，则(f0D)2与(D/l)2的关系是线性的，直线的斜率是(p/2)2 ，截距是(μni /π)2或(vni /π)2 ，这些不同模式对应的不同直线绘制在一张图上，就构成了模式图。 圆柱形谐振腔 圆柱腔中的三种常用模式 利用模式图可以确定圆柱形谐振腔单模工作区, 用它设计腔体直观简便 在实用中，一般来说希望腔体工作在单模式，采用的方法是在模式图上选定一个“工作方框”：在模式图上以选定的模式所对应的直线为对角线，由腔长(D/l)2 和相应的频率(f0D)2 的变化范围所组成的方框。 如图中以TE011模为例画出的实线方框。由图可见，方框中只有一条直线通过，这就是该模式的单模工作方框，横坐标给出了最小腔长和最大腔长，纵坐标对应于最低谐振频率和最高谐振频率，将谐振腔的调谐范围限制在一个小区域内。 有时需要扩大谐振腔的工作范围，例如当腔用作频率计时，通常希望在能够克服干扰模式的条件下，力求把工作方框扩大，像图中虚线所示的较大方框。凡通过方框的干扰模式都应该设法抑制，这可以通过对其分布特点的了解采取适当的措施加以解决。 圆柱形谐振腔 圆柱腔中的三种常用模式 (4.43) (4.44) (4.45) 圆柱形谐振腔各振荡模式的品质因素及等效电导亦可由（4.9）和（4.16）式求得，这时只需将相应模式的场分量代入两式，就可求得该模式的固有品质因素和等效电导。下面给出三个常用模式的固有品质因素表示式： 圆柱形谐振腔 圆柱腔中的三种常用模式 在示意图上任选一参考面T，从参考面向两边看过去的导纳为纯电纳 和 ，应用电纳法其谐振条件应为 同轴型谐振腔和微带谐振腔的工作模式分别为TEM模和准TEM模，这些模式的优点是场结构简单、稳定、无色散、工作频带宽。下面分别加以讨论。 同轴型谐振腔 1、λ/2 同轴谐振腔 将一段长度为l的同轴线两端用导体短路，就构成了λ/2同轴谐振腔，右图就是它的示意图。 这种腔体也是传输线型谐振腔，可以用前面矩形腔和圆柱形腔所采用的方法求其场分量的表示式和谐振波长。 但是在本节我们换一种更为简便的方法，来求解谐振波长或谐振频率，这个方法就是曾经介绍过的电纳法。 (4.46) 或 谐振条件可用右图所示圆图求出。因为 ，若两值对应的电长度分别为 l1/ λ0, l2/ λ0。则二者之和应为 谐振腔谐振时的腔长是半波长的整数倍，故该腔被称为半波长谐振腔。可看出当腔的长度固定时，不同的n将对应着不同的谐振波长；这说明，同轴型腔同样具有多谐性的特点。 （n = 1，2，3，…） 即 2、 λ/4 同轴谐振腔 同样采用电纳法求解谐振波长或谐振频率。任选一参