晶体管放大器及运放基础.pptVIP

双极型晶体管及其基本放大电路 作业 设计一个双基型晶体管放大器，晶体管为2SC9014。电压增益为5倍。用PROTUS仿真，并说明三种不同接法的特点 查询资料，利用FET管子对FM波段（88-108MHz）的天线信号进行放大，请设计一个具体电路，并进行仿真 运算放大器 是一种有着十分广泛用途的电子器件。最早开始应用于1940年，1960年后，随着集成电路技术的发展，运算放大器逐步集成化，大大降低了成本，获得了越来越广泛的应用。 运算放大器的电路模型 1. 简介 因A一般很大，上式分母中Gf(AGo-Gf)一项的值比(G1+ Gi + Gf) (G1+ Gi + Gf)要大得多。所以 uo / ui只取决于反馈电阻Rf与R1比值，而与放大器本身的参数无关。负号表明uo和ui总是符号相反(倒向比例器)。 下 页 上 页 表明 返 回 根据“虚短”： 根据“虚断”： u+ = u- =0， i1= ui/R1 i2= -uo /Rf i-= 0，i2= i1 下 页 上 页 以上近似结果可将运放看作理想情况而得到。由理想运放的特性： 注意 i1 i2 + _ uo + _ ui R1 Rf RL 2 1 _ + ? + 返 回 加法器 比例加法器：y =a1x1+a2x2+a3x3 ，符号如下图： ui1/R1+ ui2 /R2+ ui3 /R3 =-uo /Rf uo= -(Rf /R1 ui1 +Rf /R2 ui2+Rf /R3 ui3) u-= u+=0 i-=0 x1 a1 a2 a3 -1 -y y x2 x3 下 页 上 页 + _ uo R2 Rf i- u+ u- R1 R3 ui1 ui2 ui3 _ + ? + 2. 典型电路 返 回 3.电压跟随器 ① 输入阻抗无穷大(虚断)； ② 输出阻抗为零； 应用：在电路中起隔离前后两级电路的作用。 ③ uo= ui。 电 路 A 电 路 B 下 页 上 页 特点 + _ + _ ui uo _ + ? + 返 回 减法运算 u-=u+ i-=i+=0 i1= if 解得： 下 页 上 页 + _ uo R2 Rf i- u+ u- R1 R3 ui1 ui2 i1 if _ + ? + 返 回 * * 晶体管又称半导体三极管 晶体管是最重要的一种半导体器件之一，它的放大作用和开关作用，促使了电子技术的飞跃。 晶体管放大器及运放基础 晶体管的工作原理（以NPN型管为例） 依据两个PN结的偏置情况 放大状态 饱和状态 截止状态 倒置状态 晶体管的工作状态 1．发射结正向偏置、集电结反向偏置——放大状态 原理图 电路图 + – + – 发射结回路为输入回路，集电结回路为输出回路。 基极是两个回路的公共端，称这种接法为共基极接法。 输入回路 输出回路 晶体管共射极接法 原理图 电路图 IB IC ICBO uBE = ube + UBE (2) 放大原理 设输入信号ui=Uimsinωt V 那么 iB = ib + IB iC = ic + IC uCE = uce + UCE uce = –icRC 其中 UCE = VCC –ICRC 放大电路 T VBB VCC iB uBE _ uCE iC + RB RC ui + _ + _ iE a. 在RC两端有一个较大的交流分量可供输出。 uce = – icRC uCE = uce + UCE 由 可知 ui →ib→ic→icRc b. 交流信号的传递过程为 T VBB VCC iB uBE _ uCE iC + RB RC ui + _ + _ iE 2．发射结正向偏置、集电结正向偏置——饱和状态 (2) IC ? bIB，IB失去了对IC的 控制。 (1) UCE≤UBE，集电结正向偏。 饱和状态的特点 (3) 集电极饱和电压降UCES较小，小功率硅管为 0.3~0.5V 。 (4) 饱和时集电极电流 (5) UCE对IC的影响大，当UCE增大，IC将随之增加。 (2) IC=ICBO 3．发射结反向偏置、集电结反向偏置——截止状态 截止状态的特点 (1) 发射结反偏 (3) IB=－ICBO 截止状态 倒置状态 4．发射结反向偏置、集电结正向偏置——倒置状态 (1) 集电区扩散到基区的多子较少 (2) 发射区收集基区的非平衡少数载流子的能力小 (3) 管子的电流放大系数很小 共射基本放大电路的组成 (a) (b) 静态分析——直流通路 动态分析——交流通路 交流通路 共集基本放大电路 图3.6.6