低温原子层沉积氧化铝作为有机电致发光器件的封装薄膜-发光学报.pdf

第35卷摇 第9期 发摇 光摇 学摇 报 Vol郾35 No郾9 2014年9月 CHINESEJOURNAL OF LUMINESCENCE Sept. ,2014 文章编号:1000鄄7032(2014)09鄄1087鄄06 低温原子层沉积氧化铝作为有机电致发光器件的封装薄膜 * 杨永强,段摇 羽 , 陈摇 平,赵摇 毅 (集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学实验区吉林大学电子科学与工程学院,吉林 长春摇 130012) 摘要:为了克服传统的原子层深沉积反应温度高于有机材料的玻璃化温度对有机电致发光器件性能产生破 坏的缺点,使用低温原子层沉积的方法沉积了Al O 薄膜,成功地实现了对 OLED 的薄膜封装。 实验中为了 2 3 抑制环境温度对ALD薄膜均匀性的影响,增加了每个反应周期的抽气时间,从而可以充分地排出反应副产 物,抑制了空位的形成,使得薄膜具有较高的均匀性和致密性。 微观形貌分析、钙测试以及寿命测试表明,通 过增加ALD的PGT,低温制备的薄膜与高温制备的薄膜的均匀性差别较小,且制备过程对OLED器件的光电 -4 2 性能无明显影响。 低温制备的薄膜水汽透过率(WVTR)可以达到8.6 伊10 g/ (m ·d),能够有效地提高有 机电致发光器件的寿命。 关摇 键摇 词:原子层沉积;薄膜均匀;低温 + 中图分类号:TN383 .1;TN873.13 摇 摇 摇 文献标识码:A摇 摇 摇 DOI:10.3788/ fgx1087 Deposition of Al O Film Using Atomic Layer Deposition Method at 2 3 Low Temperature as Encapsulation Layer for OLEDs * YANG Yong鄄qiang,DUAN Yu ,CHEN Ping,ZHAO Yi (StateKey Laboratory on Integrated Optoelectronics,College of Electronic Science and Engineering,Jilin University,Changchun 130012,China) *Corresponding Author,E鄄mail:yuduan863@ Abstract:Inorderto avoidthedamageof highreactiontemperatureto OLEDs,thelow鄄temperature atomic layer deposition (ALD) process was introduced to deposite Al O film for the encapsulation 2 3 of OLEDs. However,thelow temperatureconditionwoulddecreasetheuniformity ofthefilm. Inor鄄 der to suppress the generating of vacancy,the pumping gas time(PGT) was increased du