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第二章 信号的运算与处理 一、分析依据 运算放大器的理想特性和工作在深度负反馈下的两个概念 ① Ri很大，Ro很小，A很大 ② 虚短—— 即 uNuP ③ 虚断——运放的两输入端不取用电流。 即 iNiP＝0 1）节点电流法 对电路中的任一节点，直接连接于该节点的所有支 路的电流之代数和恒等于零。 2）叠加原理 由两个或多个信号源所产生的响应表示为每一个信号源单独作用时所产生的响应之和。 二.基本运算电路 1.分析设计公式 1）反相比例运算电路 R2 =R1//Rf 2）同相比例运算电路 R2=R1//Rf 3）反相求和运算电路 R4=R1//R2//R3//Rf 4）同相求和运算电路 R1//R2//R3//R4=Rf//R5 5）加减运算电路 R1//R2//Rf=R3//R4//R5 基本差动放大电路 7）仪用放大器 2.电路特点及设计注意事项 三、其他应用 积分运算 微分运算 3.绝对值运算电路 第三章 半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4. 两种载流子 ----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。 6. 杂质半导体的特性 　*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 　*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 　*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。 8. PN结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通，反向截止。 *二极管伏安特性----同ＰＮ结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。 1）图解分析法 该式与伏安特性曲线 的交点叫静态工作点Q。 2) 等效电路法 直流等效电路法 *三种模型 微变等效电路法 二极管应用电路分析 *总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若 V阳 V阴( 正偏 )，二极管导通(短路); 若 V阳 V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。 稳压二极管及其稳压电路 *稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。 第四章 三极管及其基本放大电路 一. 三极管的结构、类型及特点 1.类型---分为NPN和PNP两种。 2.工作条件 1）内部条件---基区很薄，且掺杂浓度最低；发射区掺杂浓度很高，与基区接触 面积较小；集电区掺杂浓度较高，与基区接触面积较大。 2）外部条件---发射结正偏，集电结反偏 二. 三极管的工作原理 1. 三极管的三种基本组态 2. 三极管各极电流的分配 * 共发射极电流放大系数 (表明三极管是电流控制器件) 3. 共射电路的特性曲线 *输入特性曲线---同二极管。 * 输出特性曲线 (饱和管压降，用UCES表示) 放大区---发射结正偏，集电结反偏。 截止区---发射结反偏，集电结反偏。 饱和区--发射结正偏，集电结正偏。 4. 温度影响 温度升高，输入特性曲线向左移动。 温度升高ICBO、 ICEO 、 IC以及β均增加。 三. 低频小信号等效模型（简化） hie---输出端交流短路时的输入电阻， 常用rbe表示； hfe---输出端交流短路时的正向电流传输比， 常用β表示； 四. 基本放大电路组成及其原则 1. VT、 VCC、 Rb、 Rc 、C1、C2的作用。 2.组成原则----能放大、不失真、能传输。 五. 放大电路的图解分析法 1. 直流通路与静态分析 *概念---直流电流通的回路。 *画法---电容视为开路。 *作用---确定静态工作