mosfet器件并联实验研究 experimental study on parallel connecting of mosfets.pdfVIP

通馋电潦拭术 TelecomPower 24 2(D7年11月25日第24卷第6期 Technologi鹤 Nov．25，2007，VoLNo．6 文章编号：1009-3664(2007)06-0005—03 蒌研戥舞爱警 MOSFET器件并联实验研究 张良，黄子平，刘承俊，章林文 (中国工程物理研究院流体物理研究所，四川绵阳621900) 在多脉冲下具有良好的脉冲一致性。以该功率M()SR『r器件进行的6个并联实验说明，影响并联的M0唧的动态均流 的主要参数是放电回路中的回路电感和寄生电感，电路板的布局与布线对并联的功率MOSFET有很大的影响，良好的布局 可以大大提高电路的性能。 关键词：并联；兆赫兹重复频率；MOSFET；固体开关 中图分类号：TN32 文献标识码：A onParallel ofMOSFETs ExperimentalStudy Connecting ZHANG Liang，HUANGZi-ping，LIUCheng-jun，ZHANG：Li”well (InstituteofFluid 621900。China) Physics，CAEP，Mianyang RF Abstract：Adrivercircuitfor M0鳗吧TDE375-102N12ofIXYS is time power Companydesigned．Goodconsistencyper- in In of formance testisobtainedOil MOSFETcircuit 6M0既砸蕊in eonnection。 multi—pulses singtepower experiments parattd and are wecondudsthat inductance inductancei11 themost thatdfectthe loop parasitic powerloop importantpmd／lleters dynamic in and in circuit can the current M()SFETs．GoDd routerule parallel layoutdesign print board(PI：’B)designgreatlyimoroveper- of fonmncein connection M|0sI坝§． parAid power stateswitch Keywords：parallelconnecting；mHzrepetition；MaSFl玎；solid (1)驱动信号的脉冲前、后沿都要陡峭； 0引言 高重复频率的固体开关技术是脉冲功率领域的研 数要小，以提高功率M0sFET器件的开关速度； 究重点之一。高电压、高平均功率的固体开关