pecvd法制备纳米晶硅薄膜的研究进展 research progress on nanocrystalline silicon thin films prepared by pecvd.pdfVIP

加工、测量与设备 PECVD法制备纳米晶硅薄膜的研究进展 何佳，邱海宁，郑祺 (上海工程技术大学材料工程学院，上海201620) 摘要：简要介绍了纳米晶硅薄膜的微结构表征方法，重点讨论了PECVD制备方法中工艺参数对 薄膜结构的影响，并探讨了氢在薄膜形成和生长中的作用。通过优化氢稀释率、衬底温度、反应 气压、激励功率和激发频率等工艺参数可提高纳米晶硅薄膜的晶化率并改善薄膜质量。结合喇曼 光谱、X射线衍射谱、傅里叶红外光谱和高分辨透射电镜等表征方法可深入研究薄膜形成机理， 对进一步探索薄膜光电特性有重要意义。分析了等离子体化学气相沉积(PECVD)制备方法中 各工艺参数对薄膜质量和沉积速率的影响，指出其存在的问题，并探寻了今后的研究方向。 关键词：纳米晶；硅薄膜；等离子体化学气相沉积(PECVD)；微结构；高氢稀释；晶化率 Research on Silicon ProgressNanocrystalline ThinFilms PECVD Preparedby He Jia，Qiu Qi Haining，Zheng Materials 201620，China) (Collegeof Engineering．ShanghaiUniversityofEngineeringScience，Shanghai measurementmethodstOcharacterizethe siliconthinfilmmicro— Abstract：The nanocrystanine withthe onthediscussionoftheinfluenceofthe en— structureareintroducedemphasis plasma onthethinfilm hancedchemical microstrueture， vapordeposition(PECVD)processparameters and siliconthinfilms andtheeffectsofthe ontheformation of hydrogen growthnanocrystalline fractionandother ofthe siliconthin are presented．Thecrystalline propertiesnanocrystalline filmsCallbe the asthe dilution，sub— parameters，suchhydrogen improvedbyoptimizingproces