si0.2ge0.8ge异质结的离子束辅助固相外延生长 solid phase epitaxy growth combined with ion beam of si0.2 ge0.8ge heterostructure.pdfVIP

加工、测量与设备 Measu限mentand Equipment Si眦Geo．8／Ge异质结的离子束辅助固相外延生长 徐文婷h2，肖清华2，常青2，屠海令1 100088 (1．北京有色金属研究总院，北京 o 2．有研半导体股份有限公司，北京 100088) 摘要：采用离子束辅助固相外延技术，在Ge基片上制备了SiGe／Ge异质结。利用高分辨透射电 理性质进行了表征。还利用上述分析手段研究了固相外延温度对SiGe／Ge异质结中SiGe外延层 生长的影响。结果表明，低能条件下(30 keV)离子注入有利于形成SiGe外延层；通过对SiGe 外延层高分辨晶格像的傅立叶分析得出，900℃下进行固相外延能够有效抑制SiGe外延层中点 缺陷的生成；而且利用该技术外延生长的SiGe层完全弛豫。 关键词：SiGe／Ge；异质结；离子注入；固相外延；缺陷 Phase SoIid GrowthCombinedwithIon Epitaxy Beamof Heterostructure Sio．2Geo．8／Ge Xuwentin 91．2，XiaoQinghua2，ChangQin92，Tu Hailin91 (1．(知以F，-口ZRf蜀阳rf^J行s￡if越fPNo九一FPrro“s ，．Dr MP￡nZs，BP巧ig100088，C^ 2．GR工N^玎Se研icD订d“c￡orM四据ri口如c0． Lfd．，BP巧i糟占100088。C^i，m) heterostructureonGesubstratewasfabricatedthesolid Abstract：SiGe／Ge by phaseepitaxy (SPE) combinedwiththeionbealll．The andstructural technology morph0109)r，majorcomponent oftheheterostructurewerecharacterizedthe transmissionelectron properties by high～resolution Raman in— microscope(HRTEM)，energydispersiveX—ray(EDX)andscatteringspectrum．The fluenceoftheSPE the ofSiGe inthe hetero— temperatureupon growth epitaxialIayer SiGe／Ge structurewas订lustratedwithabovemethods．Theresultsshowthatlower (3