电子技术ZhiNengChapter1-Ver7.ppt

电子技术 在物理学中，根据材料的导电能力，可以将他们划分导体、绝缘体和半导体 半导体：导电能力介于导体和绝缘体之间的物质 硅、锗、硒、大多数金属氧化物和硫化物 很多半导体的导电能力在不同条件下有很大差别： 温度：温度升高－导电能力增强 光照：受到光照－导电能力增强 在纯净的半导体中掺入微量的某种杂质，导电能力就可增加几十万乃至几百万倍 例：在纯硅中掺入百万分之一的硼后，硅的电阻率就从大约2×103Ω·cm减小到4×10-3Ω·cm 半导体何以有如此特殊的导电特性，根本原因在于事物内部的特殊性 自由电子产生的同时，在其原来的共价键中就出现了一个空位，称为空穴 迁移率：表示单位场强下的平均漂移速度，单位为cm2/V·s 其值与温度、载流子性质、半导体材料和掺杂浓度等因素有关 温度越高，掺杂浓度越大，迁移率就越小 空穴的迁移率比自由电子小 迁移率影响半导体器件的工作速度或工作频率 采用迁移率大的材料可以制作成工作速度或工作频率高的半导体器件 足够强度的光均匀地照射在半导体上： 半导体的热平衡条件便受到破坏 由光照产生的载流子将叠加在热平衡浓度值上 上述存在载流子浓度差是半导体区别于导体的一种特有现象 IS是由少子通过阻挡层漂移而形成的，因而其值与PN结两边的掺杂浓度有关 两边掺杂浓度越大，相应的热平衡少子浓度（ pn0、np0 ）就越小， IS也就越小。 硅PN结的IS约为（10-9~10-16）A，锗PN结的IS约为（10-6~10-8）A IS又是温度敏感的参数，其值随温度升高而增大 IS还与PN结的结面积成正比地增大 当V不大时，I仍是很小的数值，PN结几乎不导通 例如： 导通电压 VVD(on)，PN结正向导通，I有明显的数值 VVD(on)， I很小，PN结截止 反偏： 温度 ? →少子浓度? →反向饱和电流IS ? 正偏： 温度 ? →正向电流略有增大 温度 ? → VD(on)略有减小 正偏： 温度进一步升高 →正向电流略有增大 在极端情况下，本征激发占支配地位，杂质半导体就变得与本征半导体相似，PN结也就不存在了。 为了保证PN结正常工作，就有一个最高工作温度的限制 硅为(150~200) ℃，锗为(75~100) ℃ PN结外加反向电压时 反向电流很小，近似开路 是一个主要由势垒电容构成的较理想的电容器件 其增量电容值随外加反向电压而变化 应用范围： 压控振荡器；频率调制 晶体二极管是由PN结构成的，上述PN结的各种特性就是晶体二极管所具有的特性 分析电路时，电路中的各个实际器件都必须用相应的模型来表示 比如：理想电阻模型 工程上，往往针对实际器件的主要特性，力求采用最简单的模型，使电路分析简化 作为非线性电阻器件的晶体二极管，它的非线性主要表现在单向导电性上 而导通后伏安特性的非线性则是第二位的 因此，在主要利用晶体二极管单向导电性所构成的功能电路中，分析它的性能时，晶体二极管的伏安特性曲线可以合理地用两段直线逼近 静态工作点 一般来说，△I与△V的关系是非线性的 但是△V足够小时，则可认为，在△V的变化范围内，二极管伏安特性曲线近似为一段直线 模型不同，采用的分析方法也不同 晶体二极管电路 管外电路-----线性方程 二极管--------非线性伏安特性方程 伏安特性 限幅电路 用来限制输入信号电压范围的电路 双向限幅电路 单向限幅电路 上限幅电路 下限幅电路 （2）画输出信号波形方法 根据输入信号大小? 判断二极管的导通与截止 ? 找出vO与vI关系? 画输出信号波形。 例3：设二极管是理想的，vi =6sin?t(V)，试画vO波形。 解： vi 2V时，D导通，则vO=vi vi ?2V时，D截止，则vO=2V 由此可画出vO的波形。 + - D V + - + - 2V 100? R vO vi t 6 2 0 vi(V) vO(V) t 0 2 6 小信号分析法 即将电路中的二极管用小信号电路模型代替，利用得到的小信号等效电路分析电压或电流的变化量。 分析步骤： 将直流电源短路，画交流通路。 用小信号电路模型代替二极管，得小信号等效电路。 利用小信号等效电路分析电压与电流的变化量。 1.4 晶体二极管的应用 电源设备组成框图： 电 源 变压器 整流 电路 滤波 电路 稳压 电路 vi vO t vi t v1 t v2 t v3 t vO 整流电路 1.4.1 整流与稳压电路 D + - + - R vO vi 当vi 0V时，D导通，则vO=vi 当vi ?0V时，D截止，则vO=0V 由此，利用二极管的单向导电性，实现了半波整流。 若输入信号为正弦波： 平均值： VO t 0 vi t 0 vO 外电场的