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硅片的一些基本概念 行业中单晶硅片的检验标准 行业中多晶硅片的检验标准 目前我公司产成品硅片的详细检验标准 少子寿命 * 崩边和崩点 崩边:晶体边缘或表面未贯穿晶片的局部缺损 区域，当崩边在晶片边缘产生时，其尺 寸由向浓度或周边弦长给出。 崩点:未发生在边缘处棱边上的崩边称为崩点。 （硅落与崩点是同一个概念） * 刀痕： 晶锭切割时，在晶片表面留下的圆弧状痕迹； 退刀痕： 切割时由刀片退出引起的晶片圆周上的一些小缺口或小崩边缺损； 线痕： 线切割后，在硅片表面平行于边且贯穿整个硅征表面，严重的形成台阶的或有颜色渐变的痕迹。 裂纹： 延伸到晶片表面，可能贯穿整个晶片厚度的解理或裂痕； 鸦爪： 100晶向上呈“＋”字型特征的可能贯穿晶片厚度的解理或裂痕； * 沾污： 硅片表面上肉眼可见的各种外来异物的统称。在大多数情况下，沾污能过吹气（甩干机压缩空气）、洗涤剂清洗或化学作用可以去除； 污迹： 通常由操作或指纹引起的一种密集的局部沾污； 微粒： 晶片表面上明显分立的小颗粒。在平行光照射下呈现为亮点或亮线； 斑点： 洗涤剂、溶剂或黏结残留物液滴的痕迹； * * * * * A类标准，必须符合下列各项要求。 硅片表面光滑洁净，无斑点，色泽均匀。 对角线正常，165±0.5mm； 轻微线痕，线痕深度≤15um； TTV≤20 um； 崩点深度≤0.5mm，宽度≤1 mm，每片崩点总数≤2个（另一面未透）； 崩边边缘程度轻，深度≤0.5mm，宽度≤0.5cm（另一面未透）； * B类标准 硅片表面有沾污、污迹（脱胶不干净或水纹印，手指印）（单放）； 明显线痕，线痕深度≤20um（单放）； 20TTV≤50 um（单放）； 崩点深度≤0.5mm，宽度≤1 mm,，每片崩点总数≤3个（另一面未透）； 崩边边缘程度轻，深度≤0.5mm，宽度≤3cm。（另一面未透）； * C类标准（种类单放） 对角线尺寸不对，相邻边长差异超出0.5mm以上。 TTV50 um。 严重线痕，线痕深度≥20um。 孔未透。 薄片（160um-180um）。 厚片（220-240um）。 * 等外品（种类单放） 头尾片（单面好） 薄厚不均（TTV相差过大） 孔透 隐裂 缺角（大于1/2） * 处于热平衡状态下的半导体，在一定温度下，载流子的浓度是一定的，称为平衡载流子浓度, 如果对半导体施加外界作用,破坏了热平衡的条件，称为非平衡状态。比平衡状态多出来的这部分载流子称为非平衡载流子。非平衡载流子分为非平衡多数载流子和非平衡少数载流子, 对于n型半导体材料，多出来的电子就是非平衡多数载流子,空穴则是非平衡少数载流子。对p型半导体材料则相反, 产生非平衡载流子的外界作用撤除以后，它们要逐渐衰减以致消失，最后载流子浓度恢复到平衡时的值, 非平衡少数载流子的平均生存时间称为非平衡少数载流子的寿命,简称少子寿命 * -少子寿命测试的方法测量方法都包括非平衡载流子的注入和检测两个基本方面。最常用的注入方法是光注入和电注入，而检测非平衡载流子的方法很多，如探测电导率的变化，探测微波反射或透射信号的变化等，这样组合就形成了许多寿命测试方法, 如: 直流光电导衰减; 高频光电导衰减; 表面光电压; 微波光电导衰减等?对于不同的测试方法，测试结果可能会有出入，因为不同的注入方法，厚度或表面状况的不同，探测和算法等也各不相同。因此，少子寿命测试没有绝对的精度概念，也没有国际认定的标准样片的标准，只有重复性，分辨率的概念。对于同一样品，不同测试方法之间需要作比对试验, 但比对结果并不理想 * 微波光电导衰减法(μ-PCD法)相对于其他方法，有如下特点：-无接触、无损伤、快速测试-能够测试较低寿命-能够测试低电阻率的样品（最低可以测0.1ohmcm的样品）-既可以测试硅锭、硅棒，也可以测试硅片或成品电池-样品没有经过钝化处理就可以直接测试-既可以测试P 型材料，也可以测试N 型材料-对测试样品的厚度没有严格的要求-该方法是最受市场接受的少子寿命测试方法 * 1、化学钝化－碘酒法 -HF (5%)+ HNO3(95%) 去除表面损伤层 -样品如放置较长时间，需HF 去除表面自然氧化层 -样品用碘酒(0.2-5%)浸泡在塑料袋中测试 2、电荷(Charge)钝化方法－采用高压放电，在样品表面均匀 覆盖可控电荷，从而抑制表面复合 τaverage=14.6μs τaverage=953μs 3、热氧化法–样品表面生长高质量的氧化层钝化Charge-PCDμ-PCDμ-PCD withchemical surface passivationτ