扫描电化学显微镜技术规格及相关指南.docVIP

扫描电化学显微镜技术规格 仪器用途和功能 仪器系统组成 2.1、通用样品台定位扫描系统一套 2.2、常规扫描电化学显微系统(SECM)一套 2.3、交流接触扫描技术的扫描电化学显微系统(ac-SECM)一套 2.4、间歇接触式扫描技术的扫描电化学显微系统(ic-SECM)一套 2.5、微区电化学阻抗测试系统(LEIS)一套 2.6、扫描开尔文探针测试系统(SKP)一套 2.7、扫描振动探针测试系统(SVP)一套 2.8、直流和交流电解液微滴扫描系统(SDS和ac-SDS)一套 2.10、10μm/15μm/25μm各2支 2.11、MICROTRICELL微型电解池一个，TRI-CELL电解池一个 2.、扫描电化学控制软件包 一套 2.、3D图形处理软件包 一套 3、仪器配置与技术参数要求 3.1 通用样品台定位扫描系统 ★3.1.1、轴向（x、y、z）扫描范围：≥ 10mm 3.1.2、扫描驱动分辨率：≤ 10 nm ★3.1.3、轴向（x、y、z）分辨率：≤ 20 nm 3.1.4、最大扫描速度：10 mm/s 3.1.5、扫描探针压电振动范围：20nm2μm 3.1.6、扫描探针压电振动控制分辨率：≤ 0.15 nm 3.1.7、扫描探针压电振动定位分辨率：≤ 0.1 nm 3.2、交流接触和常规扫描电化学显微系统(ac-SECM和SECM) 3.2.1、恒电位仪施加电位及分辨率：±10V, ≤ 5 nV 3.2.2、恒电位仪测量电位及分辨率：±10V, ≤ 2μV 3.2.3、电流量程及分辨率：1nA-1A，≤ 25 fA 3.2.4、 3.2.5、最大ADC分辨率：24bit 3.2.6、静电计输入阻抗: ≥1013Ω偏置电流: 1pA 3.2.、EIS频率范围：1μHz～1MHz 3.2.、EIS测试精度：0.1%，0.1° 3.2.、 ★3.2.10、支持没有氧化还原介质条件下测量局部电导率 3.3、间歇接触扫描电化学显微系统(ic-SECM) 3..1、恒电位仪施加电位及分辨率：±10V, ≤ 5 nV 3..2、恒电位仪测量电位及分辨率：±10V, ≤ 2μV 3..3、电流量程及分辨率：1nA-1A，≤ 25 fA 3..4、 3.3.5、最大ADC分辨率：24bit 3..6、静电计输入阻抗: ≥1013Ω 偏置电流: 1pA 3..7、EIS频率范围：1μHz～1MHz 3..8、EIS测试精度：0.1%，0.1° 3..9、 3.3.10、针尖控制方式：压电元件和步进电机 3.3.、压电晶体形变尺度：100μm 3.3.、振动频率范围：80Hz～600Hz ★3.3.、振动控制：20nm-2μm ★3.3.、z轴控制分辨率：≤ 0.15 nm 3.3.、形貌测量分辨率：1μm 3.3.、只进行一个扫描实验就可以同时捕捉地形形貌Topography和电化学 活性SECM，这两种重要的表面形貌信息 (LEIS) 3.4.1、电压：+/-12V 3.4.2、电流分辨率：≤ 25 fA 3.4.4、支持浮地测试功能 3.4.5、EIS交流阻抗测试频率：1μHz-1Mhz 3.4.6、交流阻抗测试精度: 0.1%，0.1° 3.4.7、交流阻抗频率分辨率：60nHz 3.5、扫描开尔文探针测试系统(SKP) 3.5.2、差分电位计：1015Ω输入阻抗，增益范围：0-80dB 3.5.3、振动驱动器：一维低电压，压电驱动器 3.5.4、振幅：垂直样品表面1-30μm 3.6、扫描振动探针测试系统(SVP)一套 3.6.2、差分电位计：1015Ω输入阻抗，增益范围：0-80dB 3.6.3、振动驱动器：一维低电压，压电驱动器 3.6.4、振幅：垂直样品表面1-30μm 3.6.5、电化学灵敏度：优于5μA/cm2（标准PIS测试） 3.6.6、SKP探针直径：200μm 3.7、直流和交流电解液微滴扫描系统(SDS和ac-SDS) ★3.7.2、探针孔径：150μm ★3.7.3、分辨率：300μm 3.7.4、ac-SDS交流阻抗测试频率：1μHz-1Mhz 3.7.5、ac-SDS交流阻抗测试精度：0.1%，0.1° 3.7.6、ac-SDS交流阻抗频率分辨率：60nHz 3.8、工作站及软件功能要求 3..1、仪器系统扫描与控制、数据采集、数据处理和电化学参数分析与成像 的通用功能 3..2、扫描探针显微数据快速分析处理和成像专用功能 3..3、扫描探针显微数据三维成像与分析功能 3.8.4、工作站要求: 英特尔? 酷睿? i5-4590 处理器, Windows? 7 , 4GB (1x4GB) 1600MHz DDR3, 500GB 3.5英寸