第七章半导体存储器与可编程器件.pptVIP

第七章 半导体存储器 分类 1、从存/取功能分： ①只读存储ROM (Read-Only-Memory） ②随机读/写RAM （Random-Access-Memory） 2、从工艺分： ①双极型 ②MOS型 7.2.1 掩模ROM 一、结构 存储矩阵的每个交叉点是一个“存储单元”，存储单元中有器件存入“1”，无器件存入“0” 存储器的容量：“字数 x 位数” 输出缓冲器 提高存储器的带负载能力，并使输出电平与TTL电路的逻辑电平兼容。 掩模ROM的特点： 出厂时已经固定，不能更改，适合大量生产 简单，便宜，非易失性 7.2.2 可编程ROM（PROM） 总体结构与掩模ROM一样，但存储单元不同 7.2.2 可编程ROM（PROM） 总体结构与掩模ROM一样，但存储单元不同 7.2.3 可擦除的可编程ROM（EPROM） 总体结构与掩模ROM一样，但存储单元不同 一、用紫外线擦除的PROM（UVEPROM） 二、电可擦除的可编程ROM（E2PROM） 总体结构与掩模ROM一样，但存储单元不同 三、快闪存储器（Flash Memory） 为提高集成度，省去T2（选通管） 改用叠栅MOS管（类似SIMOS管） 7.3 随机存储器RAM 7.3.1 静态随机存储器（SRAM） 一、结构与工作原理 二、SRAM的存储单元 7.3.2* 动态随机存储器（DRAM） 动态存储单元是利用MOS管栅极电容可以存储电荷的原理 7.4 存储器容量的扩展 7.4.1 位扩展方式 适用于每片RAM,ROM字数够用而位数不够时 接法：将各片的地址线、读写线、片选线并联即可 7.4.2 字扩展方式 适用于每片RAM,ROM位数够用而字数不够时 举例：分析下面电路功能 7.5 用存储器实现组合逻辑函数 一、基本原理 从ROM的数据表可见： 若以地址线为输入变量，则数据线即为一组关于地址变量的逻辑函数 二、举例 例：写出D3－D0的逻辑函数表达式 例 用16×4 ROM实现下面逻辑函数 例 用16×4 ROM实现下面逻辑函数 例 用8×4 ROM实现下面电路A B C 三信号排序通过电路，每次只能有一个信号通过，优先级顺序是A－B－C ，写出ABC是否通过的逻辑函数，并用8×4 ROM实现 例 用8×4 ROM实现下面电路X为3位2进制输入，当X 5 时，Y＝0；2≤X ≤5时，Y＝X＋2；X 2时,Y=X+1;用8×4ROM实现该逻辑函数 7.6 可编程逻辑器件概述 一、PLD的基本特点 1. 数字集成电路从功能上有分为通用型、专用型两大类 2. PLD的特点：是一种按通用器件来生产，但逻辑功能是由用户通过对器件编程来设定的 二、PLD的发展和分类 PROM是最早的PLD PAL 可编程逻辑阵列 FPLA 现场可编程阵列逻辑 GAL 通用阵列逻辑 EPLD 可擦除的可编程逻辑器件 FPGA 现场可编程门阵列 ISP-PLD 在系统可编程的PLD 三、LSI中用的逻辑图符号 7.7 现场可编程逻辑阵列 FPLA 组合电路和时序电路结构的通用形式 组合电路和时序电路结构的通用形式 7.8 PAL（Programmable Array Logic） 7.8.1 PAL的基本电路结构 一、基本结构形式 可编程“与”阵列 +固定“或”阵列 +输出电路 最简单的形式为： 二、编程单元 出厂时， 所有的交叉点均有熔丝 7.8.2 PAL的输出电路结构和反馈形式 一. 专用输出结构 二. 可编程输入/输出结构 三. 寄存器输出结构 四. 异或输出结构 五. 运算反馈结构 7.9 通用逻辑阵列 GAL 7.9.1 电路结构形式 可编程“与”阵列 + 固定“或”阵列 + 可编程输出电路 OLMC 7.9.2 OLMC 7.9.3 GAL的输入和输出特性 GAL是一种较为理想的高输入阻抗器件 7.10 可擦除的可编程逻辑阵列EPLD 一、结构特点 相当于 “与-或”阵列（PAL） + OLMC 二、采用EPROM工艺 集成度提高 7.11 现场可编程门阵列FPGA 一、基本结构 1. IOB 2. CLB 3. 互连资源 4. SRAM分布式每一位触发器控制一个编程点 二、编程数据的装载 7.12 在系统可编程通用数字开关 （ispGDS） 7.13 PLD的编程 以上各种PLD均需离线进行编程操作，使用开发系统 一、开发系统 硬件：计算机+编程器 软件：开发环境（软件平台） VHDL, Verilog 真值表，方程式，电路逻辑图（Schematic） 状态转换图