第三章 MEMS制造技术-1(半导体工艺).ppt

用于外延淀积的反应物气体 反应物 蒸气 正常工艺 温度℃ 正常淀积速率μm/min 需要的能量供给eV SiH4 1000 0.1~0.5 1.6~1.7 SiH2Cl2 1100 0.1~0.8 0.3~0.6 SiHCl3 1175 0.2~0.8 0.8~1.0 SiCl4 1225 0.2~1.0 1.6~1.7 在上页中用SiH4蒸气在硅衬底上生长硅膜 是其中最简单的一种。在约1000℃时，通 过简单的分解可生产硅，如下式所示： 系统示意图 外延生长程序 (1)N2预冲洗260L/min 4min (2)H2预冲洗260L/min 5min (3)升温1 850oC 5min (4)升温2 1170oC 6min (5)HCl排空1.3L/min 1min (6)HCl抛光1.3L/min 3min (7)H2冲洗(附面层) 260L/min 1min 问题： 淀积和外延，什么区别？ 为什么外延出的是单晶，淀积出的是多晶？ 对基底、设备、环境要求如何？ 三、 光刻(Lithography) 定义：光刻是一种图形复印和化学腐蚀相结合的精密表面加工技术 种类：接触式，接近式，投影式 重要性：是唯一不可缺少的工艺步骤，是一个复杂的工艺流程 工艺过程：备片?清洗?烘干?甩胶?前烘?对准?曝光?显影?坚膜?腐蚀工艺等?去胶 光刻的目的： 在二氧化硅或金属薄膜上面刻蚀出与掩膜版完全对应的几何图形从而实现选择性扩散和金属薄膜布线的目的。 硅中常用掺杂剂的离子注入 离子 范围 Rp，nm 分散 ?Rp，nm 在30keV 能级 硼（B） 106.5 39.0 磷(P) 42.0 19.5 砷(As) 23.3 9.0 在100 keV 能级 硼（B） 307．0 69．0 磷(P) 135．0 53．5 砷(As) 67．8 26．1 3、退火 定义：一般是利用各种能量形式所产生的热效应，来消除半导体片在其加工过程中所引起的各种晶格缺陷和内应力，或根据需要使表面材料产生相变和改变表面形态。 定义：将注入离子的硅片在一定温度和真空或氮、氩等高纯气体的保护下，经过适当时间的热处理，部分或全部消除硅片中的损伤，少数载流子的寿命及迁移率也会不同程度的得到恢复，掺入的杂质也将的到一定比例的电激活，这样的热处理过程称为退火。 方式： 热退火：管式炉，保护气氛，900?C， 20~30min，用于再扩散 激光退火：自淬火，局部加热，制备欧 姆接触 普通热退火 退火时间通常为15--30min，使用通常的扩散炉，在真空或氮、氩等气体的保护下对衬底作退火处理。 缺点：清除缺陷不完全，注入杂质激活不高，退火温度高、时间长，导致杂质再分布。 扩散与注入的特点 扩散 注入 工艺温度： 高温 常温 浓度和分布控制： 较精确 精确 横向扩散： 大 小 晶格损伤： 小 大 工艺自由度： 低 高 工艺成本： 低 高 二、表面薄膜技术 在IC及MEMS加工技术中，有时候需要在由不同材料构成的大面积的薄膜层中构造功能完善的结构。 功能：结构层、牺牲层、钝化保护、刻蚀掩蔽、键合连接、电气连接、光学传输等 方式：氧化(Oxidation)、淀积(Deposition)、外延(Epitaxy)、电镀（Electroplating） 薄膜定义： “薄”——厚度很薄，一般尺度在亚微米到十微米左右 决定了其制备工艺控制精度 决定了其制造工艺的方法 决定了其必须附着于支撑 “膜”——在很大面积（整个表面）上连续分布，除非有意加工，不存在断裂不连续区域。“多孔薄膜”，有孔，但仍然连续 定义：硅与氧化剂反应生成二氧化硅。 原理：氧化剂被表面吸附，向膜中扩散，在二氧化硅和硅的接触界面反应生成新的二氧化硅，接触界面向深层逐步推进。 薄膜的制备——氧化 O2 H2O 干氧典型速度：1200oC，50min，180nm 二氧化硅膜的五种用途： ??杂质扩散掩蔽膜a ??器件表面保护或钝化膜b ??电路隔离介质或绝缘介质c ??电容介质材料d ??MOS管的绝缘栅材料e 二氧化硅膜的性质（1） 1.二氧化硅膜的化学稳定性极高，不溶于水，除氢氟酸外，和别的酸不起作用。 利用这一性质可作为优质的掩蔽膜 2. 二氧化硅膜的掩蔽性质 B、P、As等杂质在SiO2的扩散系数远小于在Si中的扩散系数。Dsi Dsio2 SiO2 膜要有足够的厚度。一定的杂质扩散时间、扩散温度下，有一最小厚度 二氧化硅膜的性质（2） 3. 二氧化硅膜的绝缘性质 热击穿、电击穿、混合击穿： a.最小击穿电场（非本征）－－针孔、裂缝、杂质。 b.最大击穿电场（本征）－－厚度、