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面发射激光器vcsel综述 华侨大学 08光电 ARSON 摘要 近年来由于高速光网络的快速发展，使人们对一种新型的半导体激光器一一垂直腔面发射激光器(VCSEL)给予了更多的关注，已成为研究开发的热点。本文介绍了VCSEL的发展进程、基本结构及较之于侧面发射激光器(包括与LED作比较)的优势，以及其发展历程和应用。 关键词 VCSEL；光接收机；应用；优缺点； 引言 VCSEL全名为垂直共振腔表面放射激光(Vertical Cavity Surface Emitting Laser, VCSEL)，简称面射型激光，一种垂直表面出光的新型激光器是光纤通讯所采用的光源之一。 在VCSEL诞生之前，传统的边发射激光器一直在光通信中扮演着主要角色。尽管这些年来，边发射激光器在结构优化，制造技术，工作特性以及应用领域方面都取得了巨大进展，但仍存在一些不足。比如在芯片解理之前，不能进行单个器件的基本特性测试；光束发散角过大且呈椭圆状；不易构成二维光源阵列；而且制造成本也仍然偏高。正是在这样的背景下诞生了垂直腔面发射的激光器。VCSEL是光从垂直于半导体衬底表面方向出射的一种半导体激光器，具有模式好、阈值低、稳定性好、寿命长、调制速率高、集成高、发散角小、耦合效率高、价格便宜等很多优点。因为在垂直于衬底的方向上可并行排列着多个激光器，所以非常适合应用在并行光传输以及并行光互连等领域，它以空前的速度成功地应用于单通道和并行光互联，以它很高的性能价格比，在宽带以太网、高速数据通信网中得到了大量的应用。 V 1977年东京工业大学的伊贺教授首先提出垂直面射式激光的概念。在1979年由Soda, Iga, Kitahara and Suematsu （Soda 1979）所发表，使用液相外延技术(LPE) 实现InGaAs／InP材料的VCSEL在液氮温度77K下脉冲激射，阈值电流900mA 。1984年伊贺实验室做出的A1GaAs／GaAs室温面射型脉冲激射激光， 自此VCSEL发展才打开了新的纪元。 1987年VCSEL这名词被杜撰于美国光学协会（Optical Society of America）出版物上。1994 年实现了1550nm 的InGaAsP／InP的VCSEL的室温连续工作。1993年实现了13lOnm 的InGaAsP／InP的VCSEL的室温连续工作 ，同年夏天实现了670nm室温连续激射。1991年实现了波长为980nmGaAs／InGaAs系列的VCSEL室温连续工作。 1999年，东京大学和德国维尔兹堡大学的研究人员在室温下从光泵浦InGaN垂直腔面发射激光器二维列阵中获得蓝光发射(399nm波长) 。1999年，桑迪亚国家实验室利用反传导耦合，制作了发射868nm波长的两个强烈耦合锁相列阵垂直腔面发射激光器，以不同衍射极限光束质量的高功率垂直腔面发射激光器为基础的发射器铺平了道路。 2000年，圣巴巴拉加州大学研究小组发展了第一个室温运转、输出波长为1550nm的电抽运，全晶格匹配、砷锑化合物单块垂直腔面发射激光器，室温下阈值电流为7mA，高温时(45oC)阈值电流1．55mA 。2001年在室温下用含19个单元的阵列实现了1W的连续波方式工作或是10W的脉冲方式工作。2005年通过增大口径大小，实现了3W的输出功率，波长为980nm。2007年，一个5mm*5mm的阵列实现了200W的输出功率，这是一个高功率VCSEL方面的重大突破。2009年在808nm功率达到了大于100W这个等级。现在vcsel朝着脉冲方式工作，更低的阈值电流，更多种发射波长，更高输出功率的方向发展。 原理结构 一个激光谐振腔是由两面布拉格反射镜 (DBR)平行于一个芯片反应区的表面构成， 在一般的VCSEL中，较高和较低的两个透镜分别镀上了p型材料和n型材料，形成一个接面二极管。在较为复杂的结构中，p型和n型区域可能会埋在透镜中，使较复杂的半导体在反应区上加工做电路的连接，并除去在DBR结构中电子能量的耗损。 典型的VCSEL结构如图1所示，其有源区由多量子阱组成，有源区上下两边分别由多层四分之一波长厚的高低折射率交替的外延材料形成的DBR，相邻层之间的折射率差使每组叠层的Bragg波长附近的反射率达到极高(＞99％)的水平，需要制作的高反射率器的对数依据每对层的折射率而定，激光器的偏置电流流过反射器，它们是高掺杂的以便减小串联电阻．由一组少量的量子阱提供光增益，典型的量子阱数为1至4个，它们被置于驻波图形的最大处附近，以便获得最大的受激辐射效率而进入振荡场。出射光方向可以是顶部或衬底，这主要取决于衬底材料对所发出的激射光是否透明以及上下DBR究竟那一个取值更大一些。 由于AlAs／GaAs DBR的高反射率、高热传导率和良