第二章电磁场的基本理论.pptVIP

* * 第二章 电磁场的基本理论 电磁场中的基本物理量 麦克斯韦方程组 坡印亭定理 电磁场的边界条件 正弦电磁场的复域研究法 唯一性定理 电磁对偶原理 等效原理 2.1 电磁场中的基本物理量 规定：国际单位制 （时间s、长度m、质量kg、电流A、 温度K、发光强度cd、物质的量mol） 一.电场强度（ ） 小实验电荷 在电场 中所受力为 ，则定义 所在位置处的电场强度为 二.电位移矢量（ ） 物质置于电场 中将被极化，描述极化程度可 用极化强度矢量 其中， 称为物质的极化率，无量纲； 称为真空介电常数， 【定义】 三.磁感应强度（ ） 点电荷 以速度 在磁场 中运动，所受磁场力 为 ，则该位置的磁感应强度为 四.磁场强度（ ） 物质置于磁场 中将被磁化，描述磁化程度可 用磁化强度矢量 其中， 称为物质的磁化率，无量纲； 称为真空磁导率， 【定义】 五.电荷、电荷密度 电荷—— ，离散分布 其中，基本电荷 电荷密度—— 密度函数连续，故要求 宏观小微观大 六.电流、电流密度 电流——若在 时间内穿过面积S的净电荷量为 则流过S的电流定义为 注：电流为标量 电流体密度（ ） ——方向：正电荷的运动方向 大小：若流过与 垂直的平面面元 的 电流为 ，则 注：1）若电流在某曲面上流动，则对应电流面密度 2）由 定义知，流过曲面的总的体电流为 3）本书涉及的电流为传导电流，存在于导体中 其中， 导体的电导率，单位 电磁场的基本场量： 电磁场的源： 2.2 麦克斯韦方程组 一.电磁理论发展史 1.初级阶段——电磁独立 电荷守恒定律 电场高斯定理 磁场高斯定理 安培环路定律 2.过渡阶段——法拉第 法拉第电磁感应定律 意义：首次从一个方面将电与磁联系起来 局限：只提出了时变磁场可以产生电场； 仅限于导电回路 3.完善阶段——麦克斯韦 提出：涡旋电场假说（脱离导电回路）； 位移电流假说（改进安培环路定律） 例：平行板电容器电路充放电过程 E R C S2 S1 任取闭合曲线c，以c为边界做 S1、S2两个曲面，分别应用安 培环路定律 S1曲面： S2曲面： 矛盾 不完善 位移电流假说（将电场变化等效为一种电流） 原安培环路定律： 改进安培环路定律： （即位移电流与传导电流之和，称为全电流） 其中，位移电流密度 传导电流密度 意义：麦克斯韦的两个假说全面揭示了电场和 磁场之间的内在联系 二.麦克斯韦方程组（M组）积分形式 法拉第电磁感应定律（麦第一方程） 安培环路定律（麦第二方程） 电场高斯定理 磁场高斯定理 电荷守恒定律 场量间组成关系： 三.麦克斯韦方程组（M组）微分形式 设场、源各量在所论区域一阶连续可微 由斯托克斯定理 、 高斯定理 积分形式的M组可转换为微分形式： 四.物质的分类 根据其关系分类： 既与物质的微观结构有关，又可能与场 量有关，即 1.线性物质L：若 与 无关 3.均匀物质H：若 与 无关 2.各向同性物质I：若 与 无关 LIH物质： 常量 2.3 坡印亭定理 一.前提条件：V(S)上场量及源量一阶连续可微 二.坡印亭定理 利用微分形式的M组： 左： 右： 微分形式 对微分形式的坡印亭定理在V上积分并应用高斯定理： 积分形式坡印亭定理 三.坡印亭定理的物理意义 1.磁场能量 其中 ——代表磁场能量密度 2.电场能量 其中 ——代表电场能量密度 3.导体损耗（焦耳热） 注：功率 4.进入V内的电磁功率 ——单位时间内进入V内的总电磁能量 【定义】