第二讲 半导体异质结的外延生长.pptVIP

* * * 2 1 * 很低的位错密度和界面粗糙度，良好的周期性 * Xi’an Jiaotong University WBGS Xi’an Jiaotong University WBGS CZ法生长硅的缺点 含氧（石英坩埚）、碳（石墨舟中的碳进入熔融硅中），但外延层不含（含量极低） Epitaxy 外延生长技术发展于50年代末60年代初。当时，为了制造高频大功率器件，需要减小集电极串联电阻，又要求材料能耐高压和大电流，因此需要在低阻值衬底上生长一层薄的高阻外延层。 外延生长的新单晶层可在导电类型、电阻率等方面与衬底不同，还可以生长不同厚度和不同要求的多层单晶，从而大大提高器件设计的灵活性和器件的性能。 外延工艺还广泛用于集成电路中的PN结隔离技术和大规模集成电路中改善材料质量方面。 Epitaxy的优点 早期的外延硅沉积主要满足双极晶体管的高集电极电压的需要，外延层能够在低阻衬底上形成一个高电阻层，这样可以提高双极晶体管的性能 增强DRAM和CMOS—IC的性能 双极晶体管的重掺杂深埋层的形成 外延层能够提供与衬底晶圆不同的物理特性，使设计者有更大的自由度 外延生长工艺 衬底起籽晶的作用 外延工艺与熔体生长工艺的不同之处在于，外延层可以在远低于熔点的温度下生长，温度一般要低 30%-50% CVD、MBE 外延硅应用 外延：在单晶衬底上生长一层新的单晶层，晶向取决于衬底 IC Chemical Vapor Deposition (CVD) 外延层是在气态化合物之间发生化学反应而形成 常压CVD（APCVD），低压CVD（LPCVD），等离子体增强淀积（PECVD） 卧式、立式、圆筒式 Chemical Vapor Deposition (CVD) Single crystal (epitaxy) Polycrystalline InGaN multiple quantum well LD (Nichia 1996) n电极 p电极 蓝宝石衬底 n-GaN n-AlGaN p-AlGaN LED、LD 三种外延层的生长 应力超晶格 MBE RHEED 西安交通大学 Xi’an Jiao Tong University RHEED Intensity Oscillation during MBE Growth 1 monolayer 用 RHEED Oscillation 決定 Ga1-xAlxAs 的 Al 成份 GaAs growth rate = 0.6 ML/sec Ga1-xAlxAs growth rate = 1 ML/sec Al content x = = 0.4 1-0.6 1 1.67 sec 1 sec 激光器的MOCVD生长  ------高质量的多量子阱有源区 InGaN/GaN多量子阱的高倍TEM截面像 InGaN/GaN多量子阱的XRD扫描曲线 MOCVD材料外延生长 sapphire MOCVD外延生长系统 n-GaN n-AlGaN/GaN SLs n-GaN InGaN/GaN MQWs P-GaN P-AlGaN/GaN SLs P++ GaN Buffer layer GaN基激光器外延结构 欧姆接触层 光场限制层 n 波导层 有源区 P波导层 欧姆接触层 光场限制层 MOCVD Xi’an Jiaotong University WBGS Xi’an Jiaotong University WBGS * * 2 1 * 很低的位错密度和界面粗糙度，良好的周期性 *