薄膜复习题纲.docVIP

第一章 1. 气体分子的平均自由程 真空蒸发设备主要由三部分组成： 1. 真空系统：为蒸发过程提供真空环境 2. 蒸发系统：放置蒸发源的装置，以及加热和测温装置 3. 基板及加热系统：该系统是用来放置硅片或其它衬底，对衬底加热及测温装置 元素蒸发情况： （1）液相蒸发：对大多数金属，温度达到熔点时，其平衡气压低于10-1 Pa,需将物质加热到熔点以上 （2）固相升华：在熔点附近，固体的平衡蒸汽压已相对较高，如 Cr, Ti, Mo, Fe, Si等，可以直接利用由固态物质的升华，实现物质的气相沉积 5. 化合物的蒸发 化合物蒸发出来的蒸气可能具有完全不同于其固态或液态的成分，各元素间将发生化合或分解过程，导致沉积后的薄膜成分可能偏离化合物原来的化学组成。 合金蒸发特点 金属合金的蒸发也会发生成分的偏离，但合金中原子间的结合力小于化合物中原子间的结合力，实际蒸发过程可视为各元素独立蒸发过程 真空蒸发设备：电阻式加热蒸发，电子束加热蒸发，激光加热蒸发，电弧加热蒸发，高频感应加热蒸发。 （1）电阻式加热蒸发：利用一些高熔点、低蒸气压的金属制成各种形状的加热器；一方面作为加热，同时支撑被加热的物质。 （2）电子束加热蒸发：产生电子束的光子在电磁场的作用下发出电子，电子在电场的作用下定向运动，在磁场作用下其方向发生弯曲，打到原材料上，使其获得高能电子的能量蒸发出到衬底上制备薄膜。 （蒸发）影响薄膜纯度的因素：蒸发源的纯度，盛放原材料的装置造成的污染，真空系统中残留的气体杂质等因素。(掌握) 影响薄膜厚度的均匀性因素：蒸发源的形状，蒸发源与衬底之间的距离和角度，衬底的尺寸及其表面的情况，沉积过程中的阴影效应等。（理解） 薄膜沉积的方向性和阴影效应 .物质蒸发过程中，被蒸发原子的运动具有明显的方向性。 .蒸发原子运动的方向性对沉积的薄膜的均匀性以及其微观组织都会产生影响。 3).物质的蒸发源有不同形状。衬底较远，尺寸较小的蒸发源可以被认为是点蒸发源。 设想被蒸发的物质是由表面积为Ae的小球面上均匀地发射出来的。 第三章 1. 溅射镀膜的特点（掌握但不用背） （1）对于任何待镀材料，只要能作成靶材，就可实现溅射 （2）溅射所获得的薄膜与基片结合较好 （3）溅射所获得的薄膜纯度高，致密性好 （4）溅射工艺可重复性好，可以在大面积衬底上获得厚度均匀的薄膜 （优点）与蒸发法相比：适用范围广，溅射出来的原子能量高，成膜质量好，得到薄膜性能和均匀性好。建设法成分偏离比较少，适合制备合金薄膜。 辉光放电的物理基础: .靶材是需要被溅射的物质，作为阴极，相对阳极加数千伏电压，在真空室内充入Ar气， 在电极间形成辉光放电。 .辉光放电过程中，将产生Ar离子，阴极材料原子，二次电子，光子等。 辉光放电过程（理解）：通过混合气体中加直流电压、或射频电压，混合气体中的电子被电场加速，穿过混合气体，与气体原子或分子碰撞并激发他们，受激的原子、或离子返回其最低能级时，以发射光（或声子）的形式将能量释放出来。 等离子体：等离子体是一种中性、高能量、离子化的气体，包含中性原子或分子、原子团、带电离子和自由电子。 作用：、提供发生在衬底表面的气体反应所需要的大部分能量 、通过等离子刻蚀选择性地去处金属 溅射产额：被溅射出来的原子个数与入射离子数之比。 其影响因素：入射能量，入射离子种类，溅射物质种类及入射离子的入射角度。 直流溅射装置及特性 工作原理：1).当加上直流电压后，辉光放电开始，正离子打击靶面，靶材表面的中性原子溅射出，这些原子沉积在衬底上形成薄膜。 2).在离子轰击靶材的同时，也有大量二次电子从阴极靶发射出来，被电场加速向衬底运动，在运动过程中，与气体原子碰撞又产生更多的离子，更多的离子轰击靶材又释放出更多的电子，从而使辉光放电达到自持。 3).气体压强太低或阴-阳极距离太短，二次电子达到阳极之前不能有足够多的离化碰撞发生。反之所产生的离子会因非弹性碰撞而减速，打击靶材时不会产生足够的二次电子。另外溅射出来的靶材原子在飞向衬底的过程中将会受到过多散射，在衬底上的沉积速率反而下降。 4).直流溅射若要保持一定的溅射速率，就必须一定的工作电流，要求靶材为金属靶。若是导电性差的靶材，在离子轰击过程中，正电荷便会积累在靶材表面。 （重点）磁控溅射镀膜的基本原理：在溅射装置中引入磁场，磁场的作用使电子不再做平行直线运动，而是围绕磁力线做螺旋运动，这就意味着电子的运动路径由于磁场的作用而大幅度地增加，从而有效地提高了气体的离化效率和薄膜的沉积速率。 优点：与直流溅射，射频溅射相比，其薄膜沉积速率高，工作压力较低等。 缺点：存在对靶材的溅射不均匀性，不适合于铁磁性材料的溅射，温度