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质子辐照导致科学级电荷耦合器件电离效应和位移效应分析 文林 李豫东 郭旗 任迪远 汪波 玛丽娅 Analysisofionizinganddepartmentdamagemechanisminproton-irradiation-inducedscientificcharge- coupleddevice WenLin LiYu-Dong GuoQi RenDi-Yuan WangBo Maria 引用信息Citation: ActaPhysicaSinica, ,024220(2015) DOI: 10.7498/aps.64.024220 在线阅读Viewonline: /10.7498/aps.64.024220 当期内容Viewtableofcontents: /CN/Y2015/V64/I2 您可能感兴趣的其他文章 Articlesyou maybeinterestedin 溢油海水双向反射分布函数的建模及仿真 Modelingthebidirectionalreflectancedistributionfunctionof seawater with spilt oil 物理学报.2014,63(13): 134211 /10.7498/aps.63.134211 位移效应对量子点激光器的性能影响 Displacementdamageeffectsonthecharacteristicsofquantum dot lasers 物理学报.2013,62(9): 094219 /10.7498/aps.62.094219 位移辐射效应对量子阱激光器性能的影响 Displacementdamageeffectonthecharacteristicsofquantum well laser 物理学报.2012,61(21): 214211 /10.7498/aps.61.214211 光纤布拉格光栅 辐射损伤及其对光谱特性的影响 -radiationdamageoffiberBragggratinganditseffectsonreflected spectrum characteristics 物理学报.2012,61(6): 064201 /10.7498/aps.61.064201 物理 学报 Acta Phys. Sin. Vol. 64, No. 2 (2015) 024220 质子辐照导致科学级电荷耦合器件电离效应和 位移效应分析 文林 李豫东 郭旗 任迪远 汪波 玛丽娅 1)(中国科学院新疆理化技术研究所, 中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室, 新疆电子信息材料与器件重点实验室, 乌鲁木齐 830011) 2)(中国科学院大学, 北京 100049) ( 2014 年6 月26 日收到; 2014 年7 月25 日收到修改稿) 针对卫星轨道上的空间环境辐射引起电子元器件参数退化问题, 为了研究光电器件空间辐射效应、损伤 机理以及参数退化规律, 对某国产埋沟科学级电荷耦合器件(charge-coupled devices, CCD) 进行了10 MeV 质子辐照试验、退火试验及辐射效应理论模型研究. 试验过程中重点考察了器件的暗信号和电荷转移效率特 性的变化. 试验结果表明, 器件的主要性能参数随着质子辐照注量的增大明显退化, 在退火过程中这些参数 均有不同程度的恢复. 通过对CCD 敏感参数退化规律及其与器件工艺、结构的相关性进行分析, 并根据半导 体器件辐射效应理论, 推导了器件敏感参数随质子辐照注量变化的理论模型, 得到了暗信号及电荷转移效率 随辐照注量退化的半经验公式. 上述工作可为深入开展CCD 抗辐射性能预测、抗辐射工艺改进与结构优化提 供重要参考. 关键词: 电荷耦合器件, 质子辐照, 电离效应, 位移损伤 PACS: 42.88.+h, 85.60.Dw, 61.85.+p, 07.