金属学与热处理--第三章.ppt

4、异相间的润湿性对显微组织的影响 （1）三角晶界处界面能和表 面能的平衡 γα/α = γα/βCOS(θ/2) （2）润湿对第二相在晶界处形状的影响 四、润湿行为 五、界面能与显微组织的变化 1、界面能使界面平直并使晶粒长大 2、多晶体中三晶粒交会 点处的平衡 五、界面能与显微组织的变化 3、晶界的边数与晶粒形状 ①边界少于六边的晶粒将逐渐缩小直至消失。 ③边界大于六边的晶粒将逐渐长大。 ②边界等于六边的晶粒处于稳定状态。 晶界能极力使晶界保持平直，而交汇点则需维持界面平衡，上述矛盾导致了晶粒的不同结果。 4、表面能作用下第二相的变化 五、界面能与显微组织的变化 2、位错的攀移 （1）位错的攀移存在正攀移（原子离开半原子面）和负攀移两种情况。 指刃型位错的位错线沿着其半原子面的上下运动。 （2）位错的攀移受应力和温度的影响。 （3）只有刃型位错才能进行攀移，螺型位错不能攀移。 （4）位错的攀移比滑移困难得多，因此位错的主要运动形式为滑移。 （5）位错攀移时常常形成许多割阶。 四、位错的运动 3、作用在位错线上的力 指沿着位错线前进方向上使位错运动的力，一般用Fd表示。 晶体滑移时，作用于微元位错dL上的力Fd所做的功为： Fd×dL×ds （1）位错滑移时作用在位错线上的力 因为：Fd×dL×ds =τ×b×dL×ds 外加切应力τ所做的功为： τ×b×dL×ds 所以有： Fd =τ×b Fd 垂直于位错线沿位错线运动方向一致！ Fd =σ × b （2）位错攀移时作用在位错线上的力 四、位错的运动 ①一般情况下，金属退火后，位错密度为103 --104m/cm3。 五、位错密度 单位体积晶体中所包含的位错线的总长度或穿越单位截面积的位错线的数目。 ρ = S/V 或 ρ = n/A ②一般情况下，金属强化后为位错密度为1014—1016m/cm3。 ③晶须中的位错密仅为10m/cm左右。 六、位错的观察 1、浸蚀法 利用特殊的浸蚀方法显示晶体表面的位错，在显微镜下进行观察。 ②只能观察在表面露头的位错，晶体内部位错无法显示。 ③位错密度较高时难以分辨。 ①位错的蚀坑具有规则的外形，常呈有规律分布。 六、位错的观察 2、透射电镜法 利用衍射原理在电子显微镜下直接观察晶体中的位错。 ②即使在位错密度很高时仍能清晰地观察位错的分布。 ③可实现动态观察，观察位错的运动情况。 ①可直接观察到晶体内部的位错线。 1、基本假设条件 第三节 位错的能量及交互作用 一、 位错的应变能 位错的能量属弹性应变能，可用弹性力学的基本公式估算。 2、基本公式 σ= E×ε；τ= G×γ ① 正应变：UV =σε/2 ② 切应变：UV =τγ/2 3、单位体积晶体中所储存的能量 ①? 将晶体看成连续的介质； ②??将晶体看成各相同性。 4、螺型位错的应变能计算 螺型位错的圆柱体模型 一、 位错的应变能 5、 刃型位错的应变能计算 由此得，位错的应变能为： 取：泊桑比ν为0.33， 其中： a = 0.5--1.0，对于螺位错，a一般取下限； 而对于刃位错，a取上限。 根据类比可得，刃型位错的应变能为： 一、 位错的应变能 6、结论 ① 位错的应变能与位错的柏氏矢量的平方成正比。 ③ 位错作为线性缺陷，所引起的熵增远比空位小，不可能抵消应变能的增加，位错的存在肯定使体系的自由能增加，故位错为不平衡缺陷。 7、讨 论 一、 位错的应变能 ② 位错的应变能相当大。为降低应变能，位错在晶体中各种行为十分活跃，在晶体的塑性变形和强化方面扮演重要角色。 二、位错的线张力 1、位错线上的张力在数值上等于其位错能，即 T = aGb2 。 2、线张力使位错自动缩短或保持直线状态，平衡时，单根位错保持直线和最短；三根位错相交时，节点处位错的线张力相互平衡。其空间呈网络状分布。 3、当位错两端被固定，受外力而弯曲时，有下列关系存在： τ=Gb/2R 三、位错的应力场及与其它缺陷的交互作用 螺型位错的应力场是纯剪切应力场，径向对称分布，应力大小仅与离位错中心距离成反比。 1、位错的应力场 （1）螺型位错的应力场 （2）刃型位错的应力场 ①以位错线为界，上半部分存在沿位错线分布的圆形压应力场，下半部分为拉应力场，拉、压应力场大小相等。 ③在压应力场与拉应力场的中间面上切应力最大而正应力为零 --- 纯剪切面。 ②应力由压缩向拉伸过渡时产生附加切应力。 三、位错的应力场及与其它缺陷的交互作用 1、位错的应力场 ① 驱动力 --- 体系的自由能下降； ② 影响因素 --- 原子大小、温度等 ③ 结果 --- 固溶强化、柯垂耳气团。 2