集成电路导论 Lesson_1.ppt

SOC 片上系统（System on a chip） 设计水平越来越高 要求更多知识更多人员 IC不再孤独！ IP（Intelligent Property）应用 * 1.5 微电子技术与其他学科相结合 第1章 绪论 微电子技术与其他学科结合 微电子机械系统Microelectro mechanical system, MEMS； 微电光机械系统MOEMS； 生物芯片bio-chip …… * 第2章 半导体基本特性与晶体管工作原理 集成电路导论Introduction to Integrated Circuits 本章教学内容 * 2.1 半导体的特性 2.2 PN结 2.3 二极管 2.4 双极型晶体管 2.5 场效应晶体管 本章内容概述 本章介绍半导体器件的最基本概念 集成电路中最基本的单元（晶体管） 这些内容也是电子技术的基础 * 2.1 半导体的特性 * 什么是半导体 半导体——导电性能介于导体和绝缘体之间 电学性能对温度和它所含杂质的种类和数量十分灵敏 半导体是构成二极管和晶体管的基础 二极管和晶体管又是整个微电子学的心脏。 * 能级与能带 各种元素原子中电子在不同的轨道（orbit）上围绕着原子核旋转 电子处于原子核的控制下，如没有得到足够的能量，电子不能离开原子核 不同轨道上的电子处于不同的能量，允许的能量是量子化的，称这确定的能量状态为能级（energy level）。 各电子实际上处于哪个状态，由以下两条规律决定： （1）能量最低原理，即电子总是尽可能处于最低的能级； （2）泡利不相容定理，即同一状态只能有一个电子存在。 * 半导体中的能带 电子的共有化运动 轨道交迭：电子可从一个原子转移到相邻的原子上去 原子组合成晶体：电子的量子态发生质的变化，电子穿行于整个晶体的运动 电子只能在能量相同的量子态之间转移 共有化的量子态与原子能级之间存在对应关系 在同一个原子能级上产生的共有化运动多样 可以有各种速度 从一个原子能级可以演变出许多共有化量子态 原子能级 能带 一组密集的能级：能带 禁带，带隙 半导体中的能带 价带：被电子填充的能量最高 的能带，价电子填充 能量最高 价带以上能带基本为空 导带： 未被电子填充的能量最低的能带 禁带：导带底与价带顶之间能带 带隙：导带底与价带顶之间的能量差 半导体晶体中，内层到最外层价电子填满相应的能带。 导 带 价 带 Eg 价带、导带和带隙 电子与空穴 电子摆脱共价键束缚形成一对电子和空穴 电子从价带到导带的跃迁过程 导带增加一个电子、价带增加一个空穴 禁带宽度：摆脱共价键所需的能量 导电的电子：导带中的电子 导电的空穴：填满的价带中出现的空能级，实质是价带中电子的导电 从低向高能级跃迁：吸收能量；反之放出能量 * * 杂质能级：杂质可以使电子在其周围运动形成量子态 杂质能级一般处于禁带中 施主能级 V族施主电离能很小 施主的电离：施主能级上的电子跃迁到导带 受主能级 负电中心束缚空穴 III族受主电离能很小 受主的电离：价带电子跃迁到受主能级，失去空穴的负电中心 N型半导体和P型半导体 N型半导体：主要电子导电，有少量空穴 P型半导体：主要空穴导电，有少量电子 多数载流子n型半导体：电子；p型半导体：空穴 少数载流子n型半导体：空穴；p型半导体：电子 晶格热振动 产生电子跃迁：产生电子－空穴对 复合：导带电子落入价带空能级 热平衡时，电子、空穴浓度维持不变 * 2.2 PN结 * 平衡状态下的PN结 在一块N型（或P型）半导体单晶衬底上用扩散、外延法或离子注入等方法掺入P型（或N 型）杂质。 * 受主离子 施主离子 PN结的形成 * 浓度差 ? 多子的扩散运动?由杂质离子形成空间电荷区 ? 空间电荷区形成内电场 ? 内电场促使少子漂移 ? 内电场阻止多子扩散 最后,多子的扩散和少子的漂移达到动态平衡。对于P型半导体和N型半导体结合面，离子薄层形成的空间电荷区称为PN结。在空间电荷区，由于缺少多子，所以也称耗尽层。 平衡状态下的PN结 扩散与漂移达到动态平衡，内建电场（空间电荷区）不再增强或减弱。 * 实际PN结 * 正向状态下的PN结 在pn结上施加偏置电压时，pn结处于非平衡状态。 规定p区接电源正极为正