集成电路设计第三讲.ppt

2.4 PN结与结型二极管2.5 双极型晶体管2.6 MOS晶体管的基本结构与工作原理 授课班级班级：自062 授课老师：黄静 上节课回顾 2.3.2 固体的能带结构基础 电流形成的实质：电子从低能级向高能级的跃迁。 2.4 PN结与结型二极管 2.5 双极型晶体管 PN结 面对面 背靠背 2.6 双极型晶体管 MOS管的基本结构 MOS管的基本工作原理 MOS管性能分析 MOS管的电压-电流特性 MESFET 两种金半接触 肖特基接触 欧姆接触 第三章 集成电路制造工艺 外延生长 掩膜制版 光刻 掺杂 绝缘层的形成 初始氧化 光刻1，刻N阱 N阱形成 Si3N4淀积 光刻2，刻有源区，场区硼离子注入 场氧1 光刻3 场氧2 栅氧化，开启电压调整 多晶硅淀积 光刻4，刻NMOS管硅栅，磷离子注入形成NMOS管 光刻5，刻PMOS管硅栅，硼离子注入及推进，形成PMOS管 磷硅玻璃淀积 光刻6，刻孔、磷硅玻璃淀积回流（图中有误，没刻出孔) 蒸铝、光刻7，刻铝、光刻8，刻钝化孔（图中展示的是刻铝后的图形） N阱 PMOS管硅栅 用光刻胶做掩蔽 N阱硅栅CMOS工艺流程 N阱 磷硅玻璃 N阱硅栅CMOS工艺流程 N阱 N阱硅栅CMOS工艺流程 * 集成电路设计第三讲 ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 2.3.1晶体的基本结构： 在外电场的作用下，大量共有化电子易获得能量，集体定向流动形成电流。 从能级图上来看，是因为其共有化电子 很易从低能级跃迁到高能级上去。 导体 导体 导体 半导体 绝缘体 ?Eg ?Eg ?Eg 例. 半导体 Cd S 满 带 空 带 h? ?Eg=2.42eV n 型半导体 在n型半导体中 电子……多数载流子 空 带 满 带 施主能级 ED Eg Si Si Si Si Si Si Si P 空穴……少数载流子 2.3.2 本征半导体与杂质半导体 空 带 Ea 满 带 受主能级 P型半导体 Si Si Si Si Si Si Si + B Eg 在p型半导体中 空穴……多数载流子 电子……少数载流子 PN结的构成 PN结二极管的付安-特性 PN结 Ｐ-Ｎ结的单向导电性 １. 正向偏压 在Ｐ-Ｎ结 的p型区接 电源正极， 叫正向偏压。 阻挡层势垒被削弱、变窄，有利于空穴 向N区运动，电子向P区运动， 形成正向电流（mＡ级）。 p型 n型 I 外加正向电压越大， 正向电流也越大， 而且是呈非线性的 伏安特性(图为锗管)。 V （伏） ３０ ２０ １０ （毫安） 正向 0 0.2 1.0 I ２. 反向偏压 在Ｐ-Ｎ结的ｐ型区接电源负极, 叫反向偏压。 阻挡层势垒增大、变宽，不利于空穴向Ｎ区运动，也不利于电子向P区运动,没有正向电流。 p型 n型 I 但是，由于少数 载流子的存在， 会形成很弱的反 向电流， 当外电场很强,反向电压超过某一数值后， 反向电流会急剧增大----反向击穿。 称为漏电流 （?Ａ级）。 击穿电压 V(伏) I -１０ -２０ -３０ （微安） 反向 -20 -30 + + + + + + + + + + + + + + - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - + + + + + + 栅极 源极 漏极 氧化层 NMOS在栅极无电压时, 源极与漏极间无法导通。 N N P NMOS导通机制 + + + + + + + + + + + + + + - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - + + + + + + + + + + + + 栅极加入正电压时,通道内的正电荷被排斥,而源极与漏极中的负电荷被吸引而移向栅极。 源极 栅极 漏极 NMOS导通机制 + + + + + + + + + + + + + + - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - + + + + + + + + + + + + - - - - - - + + + + + + 栅极正电压变大,源极与漏极的负电荷受到更大的吸引,向通道移动。 源极 栅极 漏极 NMOS导通机制 + + + + + + + + + + + + + + - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - + + + + + + + + + + + + - - - - - - + + + + + + - - -