异质诱导生长的酞菁铜薄膜晶体管的研究.pdfVIP

第 卷 第 期 液晶与显示 ３１ 　 ２ 　　 Vol．３１　No．２ 　 　　　　 　　　　　　ChineseJournalofLiuidCrstalsandDislas 年 月 q y p y ２０１６ ２ 　 　 　 Feb．２０１６ 文章编号: ( ) １００７Ｇ２７８０２０１６０２Ｇ０１５７Ｇ０７ 异质诱导生长的酞菁铜薄膜晶体管的研究 １ ２ ∗ ２ ２ １ ２ １ , , , , , , , 李亨利 都 昊 王丽娟 张玉婷 李一平 邹凤君 宋贵才 宋晓峰 　 ( , ; １．长春工业大学 化学工程学院 吉林 长春 １３００１２ , ) ２．长春理工大学 理学院 吉林 长春 １３００２２ : , . 摘要 因酞菁薄膜平面具有多电子共轭大 键结构 本文采用异质诱导的方式对酞菁薄膜的生长特性进行了改善研究 π , , , . 采用高掺杂硅为栅极 氧化硅为绝缘层 生长 四噻吩或 六联苯薄膜为异质诱导层 制备了酞菁铜有机薄膜晶体管 αＧ pＧ , . : 利用原子力显微镜研究薄膜生长特性 并对比研究了 种诱导层对薄膜晶体管性能的影响 实验结果表明 四噻吩上 ２ αＧ , , , , . , 生长的酞菁铜薄膜 形貌呈片状 而 六联苯上生长的酞菁铜薄膜 形貌呈针状 均与单层酞菁铜棒状形貌不同 同时 pＧ , , 四噻吩与 六联苯薄膜上生长酞菁铜后 两者晶体管电性能都有不同程度的提高 均比单层酞菁铜提高了 个数 αＧ pＧ １~２ , , . 量级 表明 四噻吩或 六联苯对酞菁铜薄膜均有诱导效应 可以获得高性能的有机薄膜晶体管 αＧ pＧ : ; ; ; ; 关 键 词 四噻吩 六联苯薄膜 酞菁铜 有机薄膜晶体管 诱导效应 　 　 αＧ