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一种改进的高线性cmos混频器的分析与设计-微电子学.pdf

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一种改进的高线性cmos混频器的分析与设计-微电子学

第 卷第 期 微 电 子 学 , 46 2 Vol.46 No.2 年 月 2016 4 Microelectronics A r.2016 p 췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍 一种改进的高线性CMOS混频器的分析与设计 , , 张雷鸣 张金灿 刘 博 ( , ) 河南科技大学 电气工程学院 河南 洛阳 471023 : , , 。 摘 要 在多标准系统应用中 由于线性度和噪声的要求 使得混频器的设计难度很大 采用 2 , 。 次谐波注入结构的 阶失真抵消技术 设计了一种改善跨导级线性度的高线性 混频器 在 3 CMOS , , 混频器开关级处引入 滤波电路 抵消了开关级晶体管的 阶和 阶互调失真 进而优化了开关 LC 2 3 。 , 。 级的线性度 采用TSMC0.13 mCMOS工艺进行设计与仿真 并完成了版图设计与流片 较之 μ , , 传统的吉尔伯特混频器 该电路的输入 阶交调点 增加了 达到 的高线性 3 IIP3 11.2dBm 9.2dBm , 、 。 度 对噪声系数 增益以及功耗造成的影响较小 : ; ; 关键词 混频器 阶失真抵消技术 高线性 CMOS 3 中图分类号: ; 文献标识码: 文章编号: ( ) TN432TN773 A 1004-3365201602-0219-05 AnalsisandDesinofanIm rovedHihLinearitCMOSMixer y g p g

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