4H-SiC外延层中结构缺陷的分子动力学的分析研究.pdfVIP

摘要 摘 要 4H．SiC材料具有许多优于硅材料的优良性质，已成为国际上新材料领域及微 电子和光电子领域研究的热点。本文对同质外延生长的4H．SiC材料中的缺陷进行 研究。主要研究4H．SiC外延材料中存在的堆垛层错的形成机理，以及将这些位错 进行分子动力学的模拟时的计算方法等。 首先，论文介绍了SiC材料的晶体结构，以及晶体结构与缺陷之间的关系。详 细介绍了SiC外延材料中的缺陷类型，形貌缺陷和结构缺陷；介绍了这些缺陷的 起源、特性和对器件的影响。介绍了课题的背景，由于SiC外延生长中经常产生 一定密度的位错，理论和实验的需求促使人们研究SiC中位错的性质。 其次，介绍了分子动力学模拟计算的特点。分子动力学模拟由于其自身特有的 优点，成为研究材料位错的有效工具。讲解了位错理论。包括位错的弹性场模型， 位错的分类方法，位错受力。讲解了分子动力学的计算方法。在讲述基本的分子 动力学原理的同时，特别注意选取了流行的2种势函数来讲解。介绍了 错的运动。 再次，本文对4H．SiC外延材料的结构缺陷进行了研究。对外延材料中存在的 位错、微管和堆垛层错等结构缺陷进行了详细的研究。另外还对4H．SiC中局部位 错的形成及运动机理，微管的形态和分类等进行了研究。分析利用分子动力学模 拟方法验证了4H．SiC中局部位错的Si位错芯及C位错芯的弯结运动机理(REDG 分子动力学方法研究4H．SiC堆垛位错的形成及外延层中其他位错的形成和特点有 一定的实际指导意义。 关键词：4H-SiC同质外延位错分子动力学模拟 Abstract Abstract iswide for 4H—SiC semiconductorssuitable breakdown b觚dgapcompound high device drawbackisthe voltage，highpower，andhighfrequency major applications．The effectsofstructural oftenlimitthe of defects，which performance，yield，andreliability devices．Thisfocuseson in thefabricated paper thedefectsthe4H-SiC homoepitaxial reasonsfortheformationofthedefectsand influenceof layers．The the thedefectson thematerialswere studied．Sowe tounderstandthe mechanism mainly try microscopic molecular simulationmethods，thisis by dynamics verymeaningful． ofSiC andtheir withdefectswereintroduced crystal Firstly，structures