标准sigebicmos制程下光侦测器特性研究及其应用.pdfVIP

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2017-08-30 发布于天津
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标准sigebicmos制程下光侦测器特性研究及其应用

行政院國家科學委員會專題研究計畫成果報告標準 SiGe BiCMOS製程下光偵測器特性研究及其應用研究成果報告(精簡版) 計畫類別：個別型計畫編號： NSC 100-2221-E-007-029- 執行期間：100年08月01日至101年07月31日執行單位：國立清華大學電子工程研究所計畫主持人：徐永珍計畫參與人員：碩士班研究生-兼任助理人員：廖偉傑碩士班研究生-兼任助理人員：洪于倩報告附件：出席國際會議研究心得報告及發表論文公開資訊：本計畫可公開查詢中華民國 101 年 10月 17 日中文摘要：為實現低成本Si-based detecting OEIC，本計畫針對標準商用 SiGe BiCMOS製程，探討於不外加額外製程步驟的情況下，於其上所製作之光偵測器的特性，特別是 phototransistor photodetector (PTPD)元件中surface photodetector (SPD)面積比例之影響，以及substrate current之影響與防治。其他光偵測器如heterojunction phototransistor (HPT)也一併研究。本計畫亦設計optical receiver 積體電路與小型image sensor array 積體電路，以與光偵測器整合為光電積體電路。中文關鍵詞：光偵測器, 光響應度, 頻譜響應, 基底電流, 標準製程英文摘要： In view of achieving cost-effective Si-based detecting OEIC, this project studies the characteristics of the various photodetectors (e.g. PTPD and HPT) realized with standard SiGe BiCMOS process and without any extra post-process. In particular, the effects of the SPD area in PTPD and of the substrate current in the photodetectors have been addressed. Detecting OEICs such as optical receiver IC and small image sensor array were designed and fabricated, in order to integrate with the photodetectors in the standard process. 英文關鍵詞： photodetector, photo-responsivity, spectral response, substrate current, standard process