聚L2谷氨酸石墨充蜡修饰电极测定多巴胺.PDFVIP

( ) 第 30 卷 分析化学 FENXI HUAXUE 　研究报告 第 3 期 　　　　　　　　　　　 　　　　　　　　　　　 2002 年 3 月 Chinese Journal of Analytical Chemistry 271～275 聚 L 谷氨酸/ 石墨充蜡修饰电极测定多巴胺 林祥钦 　晋冠平　崔　华 ( 中国科学技术大学化学系 ,合肥 230026) ( ) ( ) ( ) 摘 　要 　用充蜡石墨电极 WGE 在 L谷氨酸 GA 无水乙醇溶液中恒电位于 1. 6 V vs . SCE 氧化制备了一种 ( ) ( ) ( ) ( ) 聚 GA 修饰电极 GA/ WGE ,该电极可用于肾上腺素 EP 和抗坏血酸 AA 共存下对多巴胺 DA 的测定。该电 极的灵敏度和选择性主要取决于阳极极化电位与极化时间、富集电位和溶液的pH 。DA 在该电极上呈现一对 循环伏安峰 , Em = 0. 145V ,为 1 电子/ 1 质子的准可逆氧化还原过程。AA 和 EP 也能够在电极上富集和催化氧 化 ,伏安峰分别在 0. 30 V 和 0. 17 V 。当AA 浓度小于 0. 1 m mol/ L 时 , 电极对AA 基本不响应 ,可以用 DA 的氧 化峰电流做定量分析。线性范围为 2. 0 ×10- 4 ～5. 0 ×10- 7mol/ L ;检出限为 2. 5 ×10- 7mol/ L 。当AA 的浓度较 大或在 AA 、EP 共存下 ,可利用 DA 氧化的再还原峰电流做定量分析。线性范围为 1. 0 ×10- 4 ～2. 5 ×10- 6 mol/ L ;检出限为 7. 5 ×10- 7mol/ L 。该电极制作简便 ,重现性良好 ,定量结果也令人满意。 关键词 　多巴胺 ,抗坏血酸 ,肾上腺素 ,聚 L谷氨酸/ 石墨充蜡修饰电极 1 　引　　言 电化学法在体探测多巴胺(DA) 等神经递质 ,可以研究大脑和神经系统的化学行为 ,但是必须使探 ( ) 1 测电极具有排斥抗坏血酸 AA 干扰的能力 。针对这一问题 , 已研究了多种电极修饰方法来增强抗 ( ) AA 干扰 ,提高对 DA 选择测定的能力。表面共价键合了一单分子层谷氨酸 GA 的碳电极 ,对 DA 与 AA 都具有电化学催化氧化作用 ,并使氧化峰分离达 130 mV 左右 ,可用作 DA 和 AA 的同时测定2 。这种单 ( 3 ) 分子层修饰膜不仅可以成为阳离子交换膜 如 Nafion 膜 的一种替代 ,而且性能上具有更多的优越 性。 将谷氨酸聚合到碳电极表面可以用电