东北大学固体物理课件第十 二霍耳效应.pptVIP

霍耳效应 12.1 霍耳效应 把通有电流的半导体放在均匀磁场中，设电场沿x方向，电场强度为Ex；磁场方向沿z轴方向，磁感应强度为Bz，则在垂直于电场和磁场的+y或-y方向将产生一个横向电场Ey,这个现象称为霍耳效应。 目标：分析霍耳效应产生的原因及霍耳系数的值 设样品的温度是均匀的，而且为了简单起见，认为所有载流子都具有相同的速度，即不考虑速度的统计分布。 1. P型半导体的霍耳效应 沿ox轴正方加电场Ex, 空穴的漂移速度vx, 产生的漂移电流密度: 横向霍耳电场的存在说明，在有垂直磁场时，电场和电流不在同一方向，两者之间的夹角?称为霍耳角。 达到稳定时，y方向没有电流，电流仍沿+x方向，但总电场E不在x方向，在xoy面的第一象限: 2. n型半导体的霍耳效应 电流沿 +x轴方向，则电子的漂移速度沿-x方向洛伦兹力沿-y方向，电子在洛伦兹力作用下向-y方向偏转，在A面积累电子，形成沿-y方向的霍耳电场Ey. 受到沿+y方向的电场力。稳定时有： 12.1.2 两种载流子的霍耳效应 下面讨论一个纯净、n型、p型三种半导体在不同温度下霍尔系数的正负。对于大多数半导体，b1 。即?n?p ，故下面的讨论都设b1。 （1）纯净半导体，或是温度在本征范围内的杂质半导体（即高温本征激发起主要作用的杂质半导体），n=p，则RH0。随温度的升高，n及p增多，RH的绝对值减小。 本章小结 一 重要术语解释 1．霍尔效应：半导体中载流子在相互垂直的电场和磁场中运动时，载流子发生偏转，在垂直于电场和磁场的方向产生霍尔电压的效应。 2．霍尔电压：在霍尔效应测量中，半导体上产生的横压降。霍尔电压的正负反映了半导体的导电类型。 本章小结 知识点 学完本章后，读者应具备如下能力： 1.描述霍尔效应。 2.根据霍尔电压的正负，判断半导体的导电类型 3.利用霍尔效应计算载流子的浓度和迁移率 本章小结 复习题 1．描述霍尔效应。 2．解释为什么霍尔电压的正负反映了半导体的导电类型(n型或p型)。 本章小结 半导体物理学 霍耳效应 信息科学与工程技术学院 产生霍尔效应的原因：做漂移运动的载流子，在垂直磁场作用下，受洛仑兹力产生偏转，在样品两侧产生电荷积累。横向电场所引起的漂移电流(qEH)和洛仑兹力产生的霍尔偏转电流(qVxB)抵消。 霍尔效应：洛仑兹力和霍尔电场所产生的静电力之间平衡的结果。 P型和n型半导体的霍耳效应 12.1.1 一种载流子的霍耳效应 半导体中同时有电子和空穴两种载流子存在时，当达到稳定时，沿霍耳电场方向（y方向）上的总电流为0，但空穴电流和电子电流并不为0，设分别为（Jp)y和（Jn)y,则有： 霍耳电场引起的空穴电流方向沿-y方向，大小为qp?pEy 洛伦兹力引起的空穴电流的方向沿+y方向大小为： 总空穴电流为 霍耳电场和洛伦兹力引起的电子的电流方向均沿+y方向，同样的分析可得： 稳定时总电流为0 霍耳电场 总电子电流为 霍耳电场 x方向的电流密度 两种载流子的霍耳系数 令 b = ?n/?p则 如果计及载流子速度的统计分布，则 当磁场很强时： （2）P型半导体，当温度在杂质导电范围内，强电离区，pn即导带中电子数很少，pnb2，因此 RH0。温度升高后，本征激发的载流子随之产生，n逐渐增加， 当p=nb2 时，RH=0；温度再升高，则pnb2，于是 RH0。所以p型半导体，当温度从杂质导电范围过渡到本征范围时，RH将改变符号。 （3）n型半导体，不管在什么温度，空穴数不会比电子多。所以nb2p，RH0 ，不会改变符号。 讨论： 通常 b = ?n/?p 1 2o n 型，RH 0 1o 本征，p = n = ni 3o p 型，RH 有正有负 零点 极大值：设 当 时 饱和区的霍尔系数值 Hall效应的应用 测定载流子浓度和迁移率 从Hall电压的正负可以判别半导体的导电类型 测出RH可求载流子浓度 测出电导率可求出霍尔迁移率 霍尔器件：利用霍耳效应制成的电子器件。 量子霍尔效应（整数量子Hall效应(1985)，分数量子Hall效应（98年Nobel，Cuiqi）(/nobel/1998_phy.htm)