104学年电机与电子群专业科目一二统一入学测验.docVIP

統一入學測驗 電機類、資電類專業科目 （本試題答案係統一入學測驗中心公布之標準答案） 電機類、資電類專業科目(一)─電子學：（第1至25題） 　　　 1. 兩電壓v1(t)＝8cos(20πt＋13()V及v2(t)＝4sin(20πt＋45?)V，則兩電壓之相位差為多少度？　(A)58　(B)45　(C)32　(D)13。 概論 　　　 2. 下列有關半導體之敘述，何者正確？　(A)當溫度升高時本質半導體的電阻會變大　(B)P型半導體內電洞載子濃度約等於受體濃度　(C)外質半導體中電洞與自由電子的濃度相同　(D)N型半導體內總電子數大於總質子數。 二極體 　　　 3. 下列敘述何者正確？　(A)紅外線LED可發紅色可見光　(B)LED發光原理與白熾鎢絲燈泡相同　(C)矽二極體之障壁電壓即為熱當電壓(thermal voltage)　(D)矽二極體於溫度每上升10?C，其逆向飽和電流約增加一倍。 二極體 　　　 4. 如圖(一)所示之理想二極體整流電路，若Vo之平均值為39.5V，RL＝10kΩ，Vi＝100sin(100πt)V，Vo之漣波電壓峰對峰值為1V，則C值約為多少μF？　(A)2　(B)40　(C)120　(D)360。 二極體之應用電路 　　　 5. 承接上題，若變壓器匝數比N1/N2＝x，則x約為何？　(A)5.5　(B)4.5　(C)3.5　(D)2.5。 二極體之應用電路 　　　 6. 單相中間抽頭變壓器型二極體全波整流電路中，其輸出電壓平均值為50V，負載為純電阻，則每個二極體之逆向峰值電壓(PIV) 約為多少伏特？　(A)173　(B)157　(C)79　(D)50。 二極體之應用電路 1.(A)　2.(B)　3.(D)　4.(B)　5.(D)　6.(B) 　　　 7. NPN型BJT工作於飽和區時，下列敘述何者正確？　(A)適合作為訊號放大　(B)集極電流與基極電流成正比　(C)相同集極電流下，BJT消耗功率比工作於主動區小　(D)基-射極與基-集極間均為逆向偏壓。 雙極性接面電晶體 　　　 8. PNP型BJT工作於主動區時，其射極電壓(VE)、基極電壓(VB)及集極電壓(VC)之大小關係為何？　(A)VE＞VB＞VC　(B)VB＞VE＞VC　(C)VB＞VC＞VE　(D)VC＞VB＞VE。 電晶體直流偏壓電路 　　　 9. 如圖(二)所示之電路，若BJT之β＝100，基-射極電壓VBE＝0.7V，則Vo約為多少伏特？　(A)3.6　(B)4.5　(C)5.5　(D)6.4。 電晶體直流偏壓電路 　　　 10. 承接上題，VCE約為多少伏特？　(A)2.31　(B)3.37　(C)4.85　(D)5.21。 電晶體直流偏壓電路 　　　 11. 如圖(三)所示之放大電路，BJT之切入電壓VBE(t)＝0.7V，β＝100，熱當電壓VT＝26mV，交流等效輸出電阻ro＝∞，則Io/Ii約為何？　(A)92.34　(B)56.68　(C)48.42　(D)39.27。 電晶體放大電路 　　 　　　　 　　　　　　　　圖(二)　　　　　　　　　　　　　圖(三) 　　　 12. 承接上題，Vo/Vi約為何？　(A)－95.3　(B)－57.6　(C)－48.9　(D)－30.5。 電晶體放大電路 　　　 13. 常作為射極隨耦器的電晶體組態為何？　(A)共射極組態　(B)共基極組態　(C)共集極組態　(D)共閘極組態。 電晶體放大電路 　　　 14. 下列有關常見的達靈頓電路(Darlington circuit)之特點，何者錯誤？　(A)高輸出阻抗　(B)高輸入阻抗　(C)高電流增益　(D)低電壓增益。 串級放大電路 7.(C)　8.(A)　9.(D)　10.(B)　11.(D)　12.(C)　13.(C)　14.(A) 　　　 15. 下列敘述何者正確？　(A)變壓器耦合串級放大電路不易受磁場干擾　(B)直接耦合串級放大電路之低頻響應不佳　(C)直接耦合串級放大電路前後級阻抗容易匹配　(D)電阻電容耦合串級放大電路偏壓電路獨立，設計容易。 串級放大電路 　　　 16. 某N通道增強型MOSFET放大電路，MOSFET之臨界電壓(threshold voltage)Vt＝2V，參數K＝0.3mA/V2，若MOSFET工作於夾止區，閘-源極間電壓VGS＝4V，則轉移電導gm為多少mA/V？　(A)0.6　(B)1.2　(C)1.8　(D)2.4。 場效電晶體 　　　 17. 如圖(四)所示之電路，若MOSFET之ID＝2mA，臨界電壓Vt＝2V，則其參數K約為多少mA/V2？　(A)0.22　(B)0.31　(C)0.42　(D)0.54。 場效電晶體 　　　 18. 如