山东理工模拟电子第3章.ppt

(5) 场效应管的漏极与源极可以互相使用，互换后特性变化不大。但如果制造时已将源极和衬底连在一起，则漏极与源极不能互换； (6) 场效应管比三极管的种类多，且制造简单，适于集成化，因而应用于大规模和超大规模集成电路中； (7) 场效应管不仅可用于放大电路和开关电路，而且还可以作压控电阻使用； (8) 存放和运放MOS场效应管时，避免栅极悬空，应将栅极和源极相连。 共同点： (1) 都具有放大作用，因此都能作为放大电路中的核心元件。 (2) 都有三个电极:对应 FET的栅极g、源极s和漏极d BJT的基极b、发射极e和集电极c (3) 都是非线性元件，所采用的分析方法也是基本上一致的。 3.4.1 共源极放大电路 1、静态分析 3.4.2　分压—自偏压式共源放大电路 2.动态分析 +VDD RS CS C2 C1 RD RG + T + _ + _ ui uo IS + _ UGS 例1：已知VDD =20V、RD=3k?、 RS=1k?、 RG=500k?、UGS(off)= –4V、IDSS=8mA， 确定静态工作点。 解：用估算法 UGSQ = – IDQRS UDSQ= VDD – IDQ(RD + RS )= 12 V 解出UGSQ1 = –2V、UGSQ2 = –8V、IDQ1=2mA、IDQ2=8mA UGSQ2 UGS(off) 故舍去 ，Q点为UGSQ = –2V，IDQ=2mA ID g d s 如果输入正弦信号，则可用相量代替上式中的变量。 由于没有栅极电流，所以栅源是悬空的。 几百千欧 + + — — g d s s g — + uGS + — uDS d 2、动态分析 (1) 场效应管微变等效电路 动态参数 gm 和 rds ①根据定义通过在特性曲线上作图方法中求得。 ②用求导的方法计算 gm 在 Q 点附近，可用 IDQ 表示上式中 iD，则 　一般 gm 约为 0.1 至 20 mS。 rds 为几百千欧的数量级。当 RD 比 rds 小得多时，可认为等效电路的 rDS 开路。 (2) 用微变等效电路法分析共源极放大电路 VDD + uO ? iD VT + ? ui VGG RG S D G RD - D + + - G S RG + - 微变等效电路 ①电压放大倍数 因栅极电流为零， ③输出电阻 Ro = RD ②输入电阻 近似等于FET栅源间的电阻 MOS管输入电阻高达 1010?。 - D + + - G S RG + - + ? VT + RG S D G RD R2 VDD + RL RS R1 C1 CS C2 + + + 1.静态分析 UDSQ = VDD – IDQ (RD + RS) -----近似估算法 直流通路 VT S D G RD R2 VDD + RS R1 RG 图解法 由式 　　可做出一条直线，另外，iD 与 uGS 之间满足转移特性曲线的规律，二者之间交点为静态工作点。确定 UGSQ， IDQ 。 uGS/V iD/mA O 2 4 6 1 2 Q IDQ UGSQ UGQ 第三章 场效应管及其放大电路 第3章 场效应管及其放大电路 3.1 结型场效应管 3.2 绝缘栅型场效应管 3.3 场效应管的主要参数及特点 3.4 场效应管放大电路 场效应三极管（Field Effect Transistor, FET）简称场效应管，是利用电场效应来控制电流的，只有一种载流子（多数载流子）参与导电，也称单极型三极管，是一种电压控制器件。 场效应管分类 结型场效应管 绝缘栅场效应管 特点 单极型器件(一种载流子导电)； 输入电阻高； 工艺简单、易集成、功耗小、体积小、成本低。 D S G N 符号 N型沟道 N型硅棒 栅极 源极 漏极 P+ P+ P 型区 耗尽层(PN 结) 　　在漏极和源极之间加上一个正向电压，N 型半导体中多数载流子电子可以导电。 3.1.1 结型场效应管的结构 N 沟道结型场效应管 3.1 结型场效应管(JFET) N 沟道结型场效应管用改变 uGS 大小来控制漏极电流 iD 的。 G D S N N型沟道 栅极 源极 漏极 P+ P+ 耗尽层 　　*在栅极和源极之间加反向电压，耗尽层会变宽，导电沟道宽度减小，使沟道本身的电阻值增大，漏极电流 iD 减小，反之，漏极 iD 电流将增加。 *耗尽层的宽度改变主要在沟道区。 3.1.2 结型场效应管的工作原理 1. uGS对iD的影响：设uDS = 0，在栅源之间加负电源 VGG，改变 VGG 大小，观察耗尽层的变化。 iD = 0 g d S N型沟道 P+ P+ (a) uGS = 0